参数资料
| 型号： | A3P125-VQ100T |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 11/220页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 125K 100-VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 |
| RAM 位总计： | 36864 |
| 输入/输出数： | 71 |
| 门数： | 125000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
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ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-94
Revision 13
Timing Characteristics
Figure 2-34 RAM Reset. Applicable to Both RAM4K9 and RAM512x18.
CLK
RESET
DOUT|RD
Dn
tCYC
tCKH
tCKL
tRSTBQ
Dm
Table 2-116 RAM4K9
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std. Units
tAS
Address setup time
0.25 0.28 0.33
ns
tAH
Address hold time
0.00 0.00 0.00
ns
tENS
REN, WEN setup time
0.14 0.16 0.19
ns
tENH
REN, WEN hold time
0.10 0.11 0.13
ns
tBKS
BLK setup time
0.23 0.27 0.31
ns
tBKH
BLK hold time
0.02 0.02 0.02
ns
tDS
Input data (DIN) setup time
0.18 0.21 0.25
ns
tDH
Input data (DIN) hold time
0.00 0.00 0.00
ns
tCKQ1
Clock High to new data valid on DOUT (output retained, WMODE = 0)
2.36 2.68 3.15
ns
Clock High to new data valid on DOUT (flow-through, WMODE = 1)
1.79 2.03 2.39
ns
tCKQ2
Clock High to new data valid on DOUT (pipelined)
0.89 1.02 1.20
ns
tC2CWWL1
Address collision clk-to-clk delay for reliable write after write on same
address—Applicable to Closing Edge
0.33 0.28 0.25
ns
tC2CWWH1
Address collision clk-to-clk delay for reliable write after write on same
address—Applicable to Rising Edge
0.30 0.26 0.23
ns
tC2CRWH1
Address collision clk-to-clk delay for reliable read access after write on same
address—Applicable to Opening Edge
0.45 0.38 0.34
ns
tC2CWRH1
Address collision clk-to-clk delay for reliable write access after read on same
address— Applicable to Opening Edge
0.49 0.42 0.37
ns
tRSTBQ
RESET Low to data out Low on DOUT (flow-through)
0.92 1.05 1.23
ns
RESET Low to Data Out Low on DOUT (pipelined)
0.92 1.05 1.23
ns
tREMRSTB
RESET removal
0.29 0.33 0.38
ns
Notes:
1. For more information, refer to the application note Simultaneous Read-Write Operations in Dual-Port SRAM for Flash-
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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