参数资料
| 型号： | A3P600-2PQG208I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 195/220页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 600K 208-PQFP |
| 标准包装： | 24 |
| 系列： | ProASIC3 |
| RAM 位总计： | 110592 |
| 输入/输出数： | 154 |
| 门数： | 600000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页第173页第174页第175页第176页第177页第178页第179页第180页第181页第182页第183页第184页第185页第186页第187页第188页第189页第190页第191页第192页第193页第194页当前第195页第196页第197页第198页第199页第200页第201页第202页第203页第204页第205页第206页第207页第208页第209页第210页第211页第212页第213页第214页第215页第216页第217页第218页第219页第220页
ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-62
Revision 13
Table 2-82 1.5 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
0.66
7.83
0.04
1.42
0.43
6.42
7.83
2.71
2.55
8.65
10.07
ns
–1
0.56
6.66
0.04
1.21
0.36
5.46
6.66
2.31
2.17
7.36
8.56
ns
–2
0.49
5.85
0.03
1.06
0.32
4.79
5.85
2.02
1.90
6.46
7.52
ns
4 mA
Std.
0.66
4.84
0.04
1.42
0.43
4.49
4.84
3.03
3.13
6.72
7.08
ns
–1
0.56
4.12
0.04
1.21
0.36
3.82
4.12
2.58
2.66
5.72
6.02
ns
–2
0.49
3.61
0.03
1.06
0.32
3.35
3.61
2.26
2.34
5.02
5.28
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-83 1.5 V LVCMOS Low Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 1.4 V
Applicable to Standard Plus I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
tZLS
tZHS Units
2 mA
Std.
0.66
12.08 0.04 1.42
0.43
12.01 12.08 2.72 2.43 14.24 14.31
ns
–1
0.56
10.27 0.04 1.21
0.36
10.21 10.27 2.31 2.06 12.12 12.18
ns
–2
0.49
9.02
0.03 1.06
0.32
8.97
9.02
2.03 1.81 10.64 10.69
ns
4 mA
Std.
0.66
9.28
0.04 1.42
0.43
9.45
8.91
3.04 3.00 11.69 11.15
ns
–1
0.56
7.89
0.04 1.21
0.36
8.04
7.58
2.58 2.55
9.94
9.49
ns
–2
0.49
6.93
0.03 1.06
0.32
7.06
6.66
2.27 2.24
8.73
8.33
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-84 1.5 V LVCMOS High Slew
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V, Worst-Case VCCI = 3.0 V
Applicable to Standard I/O Banks
Drive
Strength
Speed
Grade
tDOUT
tDP
tDIN
tPY
tEOUT
tZL
tZH
tLZ
tHZ
Units
2 mA
Std.
0.66
7.65
0.04
1.42
0.43
6.31
7.65
2.45
ns
–1
0.56
6.50
0.04
1.21
0.36
5.37
6.50
2.08
ns
–2
0.49
5.71
0.03
1.06
0.32
4.71
5.71
1.83
ns
Notes:
1. Software default selection highlighted in gray.
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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