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参数资料
型号： A3PN060-VQ100
厂商： Microsemi SoC
文件页数： 30/114页
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP
标准包装： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位总计： 18432
输入/输出数： 71
门数： 60000
电源电压： 1.425 V ~ 1.575 V
安装类型： 表面贴装
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 100-TQFP
供应商设备封装： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-8
Revision 11
Power Consumption of Various Internal Resources
Table 2-10 Different Components Contributing to Dynamic Power Consumption in ProASIC3 nano Devices
Parameter
Definition
Device Specific Dynamic Contributions
(W/MHz)
A3PN2
50
A3PN1
25
A3PN0
60
A3PN0
20
A3PN0
15
A3PN0
10
PAC1
Clock contribution of a Global Rib
11.03
9.3
PAC2
Clock contribution of a Global Spine
1.58
0.81
0.4
PAC3
Clock contribution of a VersaTile row
0.81
PAC4
Clock contribution of a VersaTile used as a
sequential module
0.12
PAC5
First contribution of a VersaTile used as a
sequential module
0.07
PAC6
Second contribution of a VersaTile used as a
sequential module
0.29
PAC7
Contribution of a VersaTile used as a
combinatorial Module
0.29
PAC8
Average contribution of a routing net
0.70
PAC9
Contribution of an I/O input pin
(standard-dependent)
See Table 2-8 on page 2-6.
PAC10
Contribution of an I/O output pin
(standard-dependent)
See Table 2-9 on page 2-7.
PAC11
Average contribution of a RAM block during a read
operation
25.00
N/A
PAC12
Average contribution of a RAM block during a write
operation
30.00
N/A
PAC13
Dynamic contribution for PLL
2.60
N/A
Note: For a different output load, drive strength, or slew rate, Microsemi recommends using the Microsemi Power
spreadsheet calculator or SmartPower tool in Libero SoC.
Table 2-11 Different Components Contributing to the Static Power Consumption in ProASIC3 nano Devices
Parameter
Definition
Device Specific Static Power (mW)
A3PN25
0
A3PN12
5
A3PN06
0
A3PN02
0
A3PN01
5
A3PN01
0
PDC1
Array static power in Active mode
See Table 2-7 on page 2-6.
PDC4
Static PLL contribution 1
2.55
N/A
PDC5
Bank quiescent power (VCCI-dependent)
See Table 2-7 on page 2-6.
Notes:
1. Minimum contribution of the PLL when running at lowest frequency.
2. For a different output load, drive strength, or slew rate, Microsemi recommends using the Microsemi Power spreadsheet
calculator or SmartPower tool in Libero SoC.
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PDF描述
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A3P030-QNG132 IC FPGA 1KB FLASH 30K 132-QFN
A3P015-QNG68I IC FPGA 1KB FLASH 15K 68-QFN
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参数描述
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A3PN060-VQG100I 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14）
A3PN060-Z1VQ100 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14）
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