参数资料
| 型号： | A3PN060-Z2VQG100I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 1/114页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 nano |
| RAM 位总计： | 18432 |
| 输入/输出数： | 71 |
| 门数： | 60000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
当前第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页
January 2013
I
2013 Microsemi Corporation
ProASIC3 nano Flash FPGAs
Features and Benefits
Wide Range of Features
10 k to 250 k System Gates
Up to 36 kbits of True Dual-Port SRAM
Up to 71 User I/Os
Reprogrammable Flash Technology
130-nm, 7-Layer Metal (6 Copper), Flash-Based CMOS
Process
Instant On Level 0 Support
Single-Chip Solution
Retains Programmed Design when Powered Off
High Performance
350 MHz System Performance
In-System Programming (ISP) and Security
ISP Using On-Chip 128-Bit Advanced Encryption Standard
(AES) Decryption via JTAG (IEEE 1532–compliant)
FlashLock Designed to Secure FPGA Contents
Low Power
Low Power ProASIC3 nano Products
1.5 V Core Voltage for Low Power
Support for 1.5 V-Only Systems
Low-Impedance Flash Switches
High-Performance Routing Hierarchy
Segmented, Hierarchical Routing and Clock Structure
Advanced I/Os
1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, and 3.3 V Mixed-Voltage Operation
Bank-Selectable I/O Voltages—up to 4 Banks per Chip
Single-Ended
I/O
Standards:
LVTTL,
LVCMOS
3.3 V /
2.5 V / 1.8 V / 1.5 V
Wide Range Power Supply Voltage Support per JESD8-B,
Allowing I/Os to Operate from 2.7 V to 3.6 V
I/O Registers on Input, Output, and Enable Paths
Selectable Schmitt Trigger Inputs
Hot-Swappable and Cold-Sparing I/Os
Weak Pull-Up/-Down
IEEE 1149.1 (JTAG) Boundary Scan Test
Pin-Compatible Packages across the ProASIC3 Family
Clock Conditioning Circuit (CCC) and PLL
Up to Six CCC Blocks, One with an Integrated PLL
Configurable Phase Shift, Multiply/Divide, Delay
Capabilities and External Feedback
Wide Input Frequency Range (1.5 MHz to 350 MHz)
Embedded Memory
1 kbit of FlashROM User Nonvolatile Memory
SRAMs and FIFOs with Variable-Aspect-Ratio 4,608-Bit RAM
True Dual-Port SRAM (except ×18 organization)
Enhanced Commercial Temperature Range
–20°C to +70°C
A3PN030 and smaller devices do not support this feature.
Table 1 ProASIC3 nano Devices
ProASIC3 nano Devices
A3PN010 A3PN0151 A3PN020
A3PN060
A3PN125
A3PN250
ProASIC3 nano-Z Devices1
A3PN030Z1,2 A3PN060Z1 A3PN125Z1
A3N250Z1
System Gates
10,000
15,000
20,000
30,000
60,000
125,000
250,000
Typical Equivalent Macrocells
86
128
172
256
512
1,024
2,048
VersaTiles (D-flip-flops)
260
384
520
768
1,536
3,072
6,144
RAM Kbits (1,024 bits)2
–
18
36
4,608-Bit Blocks2
––
–
4
8
FlashROM Kbits
1
Secure (AES) ISP2
––
–
Yes
Integrated PLL in CCCs2
––
–
1
VersaNet Globals
4
6
18
I/O Banks
2
3
2
4
Maximum User I/Os (packaged device)
34
49
77
71
68
Maximum User I/Os (Known Good Die)
34
–
52
83
71
68
Package Pins
QFN
VQFP
QN48
QN68
QN48, QN68
VQ100
Notes:
1. Not recommended for new designs.
2. A3PN030Z and smaller devices do not support this feature.
3. For higher densities and support of additional features, refer to the ProASIC3 and ProASIC3E datasheets.
Revision 11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AYM30DTAH-S189 | CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD |
| ASM30DTAH-S189 | CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD |
| AGM30DTAH-S189 | CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD |
| AYM30DTAD-S189 | CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD |
| ASM30DTAD-S189 | CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| A3PN060-ZVQ100 | 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14） |
| A3PN060-ZVQ100I | 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14） |
| A3PN060-ZVQG100 | 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14） |
| A3PN060-ZVQG100I | 功能描述:IC FPGA NANO 60K GATES 100-VQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14） |
| A3PN125-1VQ100 | 功能描述:IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 nano 标准包装:152 系列:IGLOO PLUS LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:792 RAM 位总计:- 输入/输出数:120 门数:30000 电源电压:1.14 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:289-TFBGA，CSBGA 供应商设备封装:289-CSP（14x14） |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。