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参数资料
型号： A3PN125-Z2VQ100
厂商： Microsemi SoC
文件页数： 42/114页
文件大小： 0K
描述： IC FPGA NANO 125K GATES 100-VQFP
标准包装： 90
系列： ProASIC3 nano
RAM 位总计： 36864
输入/输出数： 71
门数： 125000
电源电压： 1.425 V ~ 1.575 V
安装类型： 表面贴装
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 100-TQFP
供应商设备封装： 100-VQFP（14x14）
ProASIC3 nano Flash FPGAs
Revision 11
2-19
Detailed I/O DC Characteristics
Table 2-20 Input Capacitance
Symbol
Definition
Conditions
Min.
Max.
Units
CIN
Input capacitance
VIN = 0, f = 1.0 MHz
8
pF
CINCLK
Input capacitance on the clock pin
VIN = 0, f = 1.0 MHz
8
pF
Table 2-21 I/O Output Buffer Maximum Resistances 1
Standard
Drive Strength
RPULL-DOWN
(
)2
RPULL-UP
(
)3
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
2 mA
100
300
4 mA
100
300
6 mA
50
150
8 mA
50
150
3.3 V LVCMOS Wide Range
100 A
Same as equivalent
software default drive
2.5 V LVCMOS
2 mA
100
200
4 mA
100
200
6 mA
50
100
8 mA
50
100
1.8 V LVCMOS
2 mA
200
225
4 mA
100
112
1.5 V LVCMOS
2 mA
200
224
Notes:
1. These maximum values are provided for informational reasons only. Minimum output buffer resistance
values depend on VCCI, drive strength selection, temperature, and process. For board design
considerations and detailed output buffer resistances, use the corresponding IBIS models, located at
http://www.microsemi.com/soc/download/ibis/default.aspx.
2. R(PULL-DOWN-MAX) = (VOLspec) / IOLspec
3. R(PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / IOHspec
Table 2-22 I/O Weak Pull-Up/Pull-Down Resistances
Minimum and Maximum Weak Pull-Up/Pull-Down Resistance Values
VCCI
R(WEAK PULL-UP)1
(
)
R(WEAK PULL-DOWN)2
(
)
Min.
Max.
Min.
Max.
3.3 V
10 K
45 K
10 K
45 K
3.3 V (wide range I/Os)
10 K
45 K
10 K
45 K
2.5 V
11 K
55 K
12 K
74 K
1.8 V
18 K
70 K
17 K
110 K
1.5 V
19 K
90 K
19 K
140 K
Notes:
1. R(WEAK PULL-UP-MAX) = (VCCImax – VOHspec) / I(WEAK PULL-UP-MIN)
2. R(WEAK PULLDOWN-MAX) = (VOLspec) / I(WEAK PULLDOWN-MIN)
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