参数资料
| 型号： | A3PN250-1VQ100 |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 74/114页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | ProASIC3 nano |
| RAM 位总计： | 36864 |
| 输入/输出数： | 68 |
| 门数： | 250000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-TQFP |
| 供应商设备封装： | 100-VQFP（14x14） |
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ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-48
Revision 11
Timing Characteristics
Figure 2-18 Output DDR Timing Diagram
11
6
1
7
2
8
3
910
45
28
3
9
tDDROREMCLR
tDDROHD1
tDDROREMCLR
tDDROHD2
tDDROSUD2
tDDROCLKQ
tDDRORECCLR
CLK
Data_R
Data_F
CLR
Out
tDDROCLR2Q
710
4
Table 2-64 Output DDR Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std.
Units
tDDROCLKQ
Clock-to-Out of DDR for Output DDR
0.70
0.80
0.94
ns
tDDROSUD1
Data_F Data Setup for Output DDR
0.38
0.43
0.51
ns
tDDROSUD2
Data_R Data Setup for Output DDR
0.38
0.43
0.51
ns
tDDROHD1
Data_F Data Hold for Output DDR
0.00
ns
tDDROHD2
Data_R Data Hold for Output DDR
0.00
ns
tDDROCLR2Q
Asynchronous Clear-to-Out for Output DDR
0.80
0.91
1.07
ns
tDDROREMCLR
Asynchronous Clear Removal Time for Output DDR
0.00
ns
tDDRORECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for Output DDR
0.22
0.25
0.30
ns
tDDROWCLR1
Asynchronous Clear Minimum Pulse Width for Output DDR
0.22
0.25
0.30
ns
tDDROCKMPWH
Clock Minimum Pulse Width HIGH for the Output DDR
0.36
0.41
0.48
ns
tDDROCKMPWL
Clock Minimum Pulse Width LOW for the Output DDR
0.32
0.37
0.43
ns
FDDOMAX
Maximum Frequency for the Output DDR
350.00 350.00 350.00 MHz
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-5 for derating values.
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