参数资料
型号: ACDN301
厂商: ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件页数: 1/1页
文件大小: 76K
代理商: ACDN301
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 (818) 982-1200 FAX (818) 765-3004
1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS TC = 25 °C
SYMBOL
NONETEST CONDITIONS
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
UNITS
BVCBO
IC = 40 mA
65
V
BVCEO
IC = 80 mA
30
V
BVEBO
IE = 20 mA
3.5
V
BVCER
IC = 120 mA
RBE = 75
40
V
ICEO
VCE = 28 V
10
mA
hFE
VCE = 5 V
IC = 4.0 A
25
120
---
COB
VCB = 28 V
f = 1.0 MHz
50
pF
PG
η
C
ICQ = 200 mA
POUT = 100 W
f = 860 MHz
8.5
55
dB
%
P1dB
ICQ = 200 mA
Pref = 25 W
f = 860 MHz
100
W
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
ACDN301
DESCRIPTION:
The ASI ACDN301 is Designed for
Television Band IV & V Applications
up to 860 MHz.
FEATURES:
Common Emitter
P
G = 8.5 dB at 100 W/860 MHz
Omnigold Metalization System
MAXIMUM RATINGS
IC
16 A
VCEO
30 V
VCBO
65 V
VEBO
3.5 V
PDISS
220 W @ TC = 25 °C
TJ
-65 °C to +200 °C
TSTG
-65 °C to +150 °C
θ
JC
0.8 °C/W
PACKAGE STYLE .400 BAL FLG(C)
MINIMUM
inches / mm
.380 / 9.65
.120 / 3.05
.780 / 19.81
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
.130 / 3.30
.820 / 20.83
.390 / 9.91
inches / mm
1.090 / 27.69
H
DIM
K
L
I
J
.003 / 0.08
.060 / 1.52
.007 / 0.18
.070 / 1.78
.205 / 5.21
N
M
.850 / 21.59
.870 / 22.10
.220 / 5.59
.230 / 5.84
.435 / 11.05
.082 / 2.08
.100 / 2.54
.407 / 10.34
.395 / 10.03
.080x45°
A
B
F
G
H
I
J K
L
M
(4X).060 R
.1925
D
C
E
FULL R
N
1.335 / 33.91
1.345 / 34.16
.210 / 5.33
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