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参数资料
| 型号： | AD5160BRJ50-R2 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POT DGTL 50K 256POS SOT23-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 接片： | 256 |
| 电阻（欧姆）： | 50k |
| 电路数： | 1 |
| 温度系数： | 标准值 45 ppm/°C |
| 存储器类型： | 易失 |
| 接口： | 3 线串行（芯片选择） |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-8 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-8 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | AD5160BRJ50-R2CT |
AD5160
Rev. B | Page 12 of 1
6
TEST CIRCUITS
Figure 28 to Figure 36 illustrate the test circuits that define the test conditions used in the product specification tables.
VMS
A
W
DUT
B
V+ = VDD
1LSB = V+/2N
V+
Figure 28. Test Circuit for Potentiometer Divider Nonlinearity Error (INL, DNL)
NO CONNECT
IW
VMS
A
W
B
DUT
Figure 29. Test Circuit for Resistor Position Nonlinearity Error
(Rheostat Operation; R-INL, R-DNL)
VMS1
IW = VDD/RNOMINAL
VMS2
VW
RW = [VMS1 – VMS2]/IW
A
W
DUT
B
Figure 30. Test Circuit for Wiper Resistance
ΔV
ΔVMS%
DD%
PSS (%/%) =
V+= VDD 10%
PSRR (dB) = 20 LOG
MS
DD
(
)
VDD
VA
VMS
A
W
B
V+
Figure 31. Test Circuit for Power Supply Sensitivity (PSS, PSSR)
OP279
W
5V
B
VOUT
OFFSET
A
DUT
GND
OFFSET
BIAS
VIN
Figure 32. Test Circuit for Inverting Gain
B
A
VIN
OP279
W
5V
VOUT
OFFSET
GND
OFFSET
BIAS
DUT
Figure 33. Test Circuit for Noninverting Gain
+15V
–15V
W
A
2.5V
B
VOUT
OFFSET
GND
DUT
AD8610
VIN
Figure 34. Test Circuit for Gain vs. Frequency
W
B
VSS TO VDD
DUT
ISW
CODE = 0x00
RSW =
0.1V
ISW
0.1V
Figure 35. Test Circuit for Incremental On Resistance
W
B
VCM
ICM
A
NC
VDD DUT
GND
NC
VSS
NC = NO CONNECT
Figure 36. Test Circuit for Common-Mode Leakage Current
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PDF描述 |
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| AD5160BRJZ100-R2 | 制造商:Analog Devices 功能描述:IC 8-BIT DIGITAL POT |
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