参数资料
| 型号： | AD5231BRU10 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 19/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DGTL POT 1024POS 10K 16TSSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 接片： | 1024 |
| 电阻（欧姆）： | 10k |
| 电路数： | 1 |
| 温度系数： | 标准值 600 ppm/°C |
| 存储器类型： | 非易失 |
| 接口： | 4 线 SPI（芯片选择） |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V，±2.25 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
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AD5231
Data Sheet
Rev. D | Page 26 of 28
RDAC CIRCUIT SIMULATION MODEL
The internal parasitic capacitances and the external load
dominates the ac characteristics of the RDACs. The 3 dB
bandwidth of the AD5231BRU10 (10 k resistor) measures
370 kHz at half scale when configured as a potentiometer
divider. Figure 15 provides the large signal BODE plot charac-
teristics. A parasitic simulation mode is shown in Figure 57.
A
RDAC
10k
W
B
CA
50pF
CB
50pF
CW
50pF
02739-
056
Figure 57. RDAC Circuit Simulation Model for RDAC = 10 k
The following code provides a macro model net list for the
10 k RDAC:
.PARAM D = 1024, RDAC = 10E3
*
.SUBCKT DPOT (A, W, B)
*
CA
A
0
50E-12
RWA
A
W
{(1-D/1024)* RDAC + 15}
CW
W
0
50E-12
RWB
W
B
{D/1024 * RDAC + 15}
CB
B
0
50E-12
*
.ENDS DPOT
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