参数资料
型号: AD5259BRMZ10
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 5/24页
文件大小: 0K
描述: IC DGTL POT 10K 256POS 10-MSOP
标准包装: 50
接片: 256
电阻(欧姆): 10k
电路数: 1
温度系数: 标准值 500 ppm/°C
存储器类型: 非易失
接口: I²C(设备位址)
电源电压: 2.7 V ~ 3.3 V,4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 10-MSOP
包装: 管件
产品目录页面: 787 (CN2011-ZH PDF)
配用: AD5259EVAL-ND - BOARD EVAL FOR AD5259 DGTL POT
Data Sheet
AD5259
Rev. C | Page 13 of 24
TEST CIRCUITS
Figure 32 through Figure 37 illustrate the test circuits that define the test conditions used in the product Specifications tables.
05026-030
VMS
A
W
B
DUT
V+
V+ = VDD
1LSB = V+/2N
Figure 32. Test Circuit for Potentiometer Divider Nonlinearity Error (INL, DNL)
05026-031
NO CONNECT
IW
VMS
A
W
B
DUT
Figure 33. Test Circuit for Resistor Position Nonlinearity Error
(Rheostat Operation; R-INL, R-DNL)
05026-032
VMS2
VMS1
VW
A
W
B
DUT
IW = VDD/RNOMINAL
RW = [VMS1 – VMS2]/IW
Figure 34. Test Circuit for Wiper Resistance
05026-033
V
MS%
DUT
(
)
A
W
B
V+
V
DD%
V
MS
V
DD
V
DD
VA
VMS
V+ = VDD ± 10%
PSRR (dB) = 20 LOG
PSS (%/%) =
Figure 35. Test Circuit for Power Supply Sensitivity (PSS, PSSR)
05026-034
+5V
–5V
W
A
+2.5V
B
VOUT
OFFSET
GND
DUT
AD8610
VIN
Figure 36. Test Circuit for Gain vs. Frequency
05026-035
W
B
DUT
ISW
RSW
GND TO VDD
CODE = 0x00
=
0.1V
Figure 37. Test Circuit for Common-Mode Leakage Current
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