参数资料
| 型号： | AD5290YRMZ100 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 18/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DGTL POT 100K 256POS 10MSOP |
| 标准包装： | 50 |
| 接片： | 256 |
| 电阻（欧姆）： | 100k |
| 电路数： | 1 |
| 温度系数： | 标准值 35 ppm/°C |
| 存储器类型： | 易失 |
| 接口： | 4 线 SPI（芯片选择） |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 30 V，±4.5 V ~ 15 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 10-MSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 787 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | EVAL-AD5290EBZ-ND - BOARD EVAL FOR AD5290 |
Data Sheet
AD5290
Rev. C | Page 7 of 20
INTERFACE TIMING CHARACTERISTICS
Table 3.
Parameter 1, 2
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Clock Frequency
fCLK
4
MHz
Input Clock Pulse Width
tCH, tCL
Clock level high or low
120
ns
Data Setup Time
tDS
30
ns
Data Hold Time
tDH
20
ns
CLK to SDO Propagation Delay3
tPD
RPull-up = 2.2 k, CL < 20 pF
10
100
ns
CS Setup Time
tCSS
120
ns
CS High Pulse Width
tCSW
150
ns
CLK Fall to CS Fall Hold Time
tCSH0
10
ns
CLK Rise to CS Rise Hold Time
tCSH
120
ns
CS Rise to Clock Rise Setup
tCS1
120
ns
1
See Figure 3 for the location of the measured values. All input control voltages are specified with tR = tF = 1 ns (10% to 90% of VDD) and timed from a voltage level of
1.6 V. Switching characteristics are measured using VDD = +15 V and VSS = 15 V.
2
Guaranteed by design and not subject to production test.
3
Propagation delay depends on the value of VDD, RPull-up, and CL.
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