参数资料
| 型号： | AD660BN |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 14/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DAC 16BIT MONO W/VREF 24-DIP |
| 产品培训模块： | Data Converter Fundamentals DAC Architectures |
| 标准包装： | 15 |
| 系列： | DACPORT® |
| 设置时间： | 6µs |
| 位数： | 16 |
| 数据接口： | 串行 |
| 转换器数目： | 1 |
| 电压电源： | 模拟和数字，双 ± |
| 功率耗散（最大）： | 625mW |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 24-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 24-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 输出数目和类型： | 1 电压，单极；1 电压，双极 |
| 采样率（每秒）： | 167k |
AD660
Rev. B | Page 3 of 20
SPECIFICATIONS
TA = 25°C, +VCC = 15 V, VEE = 15 V, +VLL = 5 V unless otherwise noted.
Table 1.
Parameter
AD660AN/AR/SQ
AD660BN/BR
Unit
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
RESOLUTION
16
Bits
DIGITAL INPUTS (TMIN to TMAX)
VIH (Logic 1)
2.0
5.5
2.0
5.5
V
VIL (Logic 0)
0
0.8
0
0.8
V
IIH (VIH = 5.5 V)
10
+10
10
+10
μA
IIL (VIL = 0 V)
10
+10
10
+10
μA
TRANSFER FUNCTION CHARACTERISTICS1
Integral Nonlinearity
Bipolar Operation
2
+2
1
+1
LSB
TMIN to TMAX
4
+4
2
+2
LSB
Unipolar Operation
2
+2
1
+1.5
LSB
TMIN to TMAX
4
+4
2
+2
LSB
Differential Nonlinearity
2
+2
1
+1
LSB
TMIN to TMAX
4
+4
2
+2
LSB
Monotonicity Over Temperature
14
15
Bits
Gain Error2, 3
0.1
+0.1
0.1
+0.1
% of FSR
Gain Drift (TMIN to TMAX)
25
15
ppm/°C
DAC Gain Error4
0.05
+0.05
0.05
+0.05
% of FSR
DAC Gain Drift4
10
ppm/°C
Unipolar Offset
2.5
+2.5
2.5
+2.5
mV
Unipolar Offset Drift (TMIN to TMAX)
3
ppm/°C
Bipolar Zero Error
7.5
+7.5
7.5
+7.5
mV
Bipolar Zero Error Drift (TMIN to TMAX)
5
ppm/°C
REFERENCE INPUT
Input Resistance
7
10
13
7
10
13
kΩ
Bipolar Offset Input Resistance
7
10
13
7
10
13
kΩ
REFERENCE OUTPUT
Voltage
9.99
10.00
10.01
9.99
10.00
10.01
V
Drift
25
15
ppm/°C
External Current5
2
4
2
4
mA
Capacitive Load
1000
pF
Short-Circuit Current
25
mA
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage Range
Unipolar Configuration
0
+10
0
+10
V
Bipolar Configuration
10
+10
10
+10
V
Output Current
5
mA
Capacitive Load
1000
pF
Short-Circuit Current
25
mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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