参数资料
| 型号： | AD8205WYRZ-RL |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP DIFF 42V SGL 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 放大器类型： | 差分 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 0.5 V/µs |
| -3db带宽： | 50kHz |
| 电压 - 输入偏移： | 2000µV |
| 电流 - 电源： | 2mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Data Sheet
AD8205
Rev. | Page 5 of 12
PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONS
04315-0-002
Figure 2. Metallization Diagram
NC = NO CONNECT
AD8205
TOP VIEW
(Not to Scale)
–IN
1
GND
2
VREF2 3
NC
4
+IN
VREF1
V+
OUT
8
7
6
5
04315-0-026
Figure 3. Pin Configuration
Table 3. Pin Function Descriptions
Pin No.
Mnemonic
X
Y
1
IN
206
508
2
GND
447
57
3
VREF2
432
457
4
NC
N/A
5
OUT
444
472
6
V+
444
203
7
VREF1
456
434
8
+IN
203
509
Die size is 1170 m by 1280 m.
Die thickness is 13 mil.
Minimum passivation opening (minimum bond pad size) is
92 m × 92 m.
Passivation type is 8KA USG (Oxide) + 10KA Oxynitride.
Bond pad metal composition is 98.5% Al, 1% Si, and 0.5% Cu.
Backside potential is V+.
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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