参数资料
型号: AD8221BR-REEL7
厂商: Analog Devices Inc
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描述: IC AMP INST PREC LN 18MA 8SOIC
产品培训模块: Power Line Monitoring
Instrument Amp Primer Overview
设计资源: Low Cost, High Voltage, Programmable Gain Instrumentation Amplifier Using AD5292 and AD8221 (CN0114)
Low Cost Programmable Gain Instrumentation Amplifier Circuit Using ADG1611 and AD620 (CN0146)
标准包装: 1,000
放大器类型: 仪表
电路数: 1
转换速率: 2 V/µs
-3db带宽: 825kHz
电流 - 输入偏压: 200pA
电压 - 输入偏移: 25µV
电流 - 电源: 900µA
电流 - 输出 / 通道: 18mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 4.6 V ~ 36 V,±2.3 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
AD8221
Rev. C | Page 3 of 24
SPECIFICATIONS
VS = ±15 V, VREF = 0 V, TA = 25°C, G = 1, RL = 2 kΩ, unless otherwise noted.
Table 1.
AR Grade
BR Grade
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
COMMON-MODE REJECTION RATIO
CMRR DC to 60 Hz with 1 kΩ
Source Imbalance
VCM = 10 V to +10 V
G = 1
80
90
dB
G = 10
100
110
dB
G = 100
120
130
dB
G = 1000
130
140
dB
CMRR at 10 kHz
VCM = 10 V to +10 V
G = 1
80
dB
G = 10
90
100
dB
G = 100
100
110
dB
G = 1000
100
110
dB
NOISE
RTI noise =
√eNI2 + (eNO/G)2
Voltage Noise, 1 kHz
Input Voltage Noise, eNI
VIN+, VIN, VREF = 0
8
nV/√Hz
Output Voltage Noise, eNO
75
nV/√Hz
RTI
f = 0.1 Hz to 10 Hz
G = 1
2
μV p-p
G = 10
0.5
μV p-p
G = 100 to 1000
0.25
μV p-p
Current Noise
f = 1 kHz
40
fA/√Hz
f = 0.1 Hz to 10 Hz
6
pA p-p
VOLTAGE OFFSET1
Input Offset, VOSI
VS = ±5 V to ±15 V
60
25
μV
Over Temperature
T = 40°C to +85°C
86
45
μV
Average TC
0.4
0.3
μV/°C
Output Offset, VOSO
VS = ±5 V to ±15 V
300
200
μV
Over Temperature
T = 40°C to +85°C
0.66
0.45
mV
Average TC
6
5
μV/°C
Offset RTI vs. Supply (PSR)
VS = ±2.3 V to ±18 V
G = 1
90
110
94
110
dB
G = 10
110
120
114
130
dB
G = 100
124
130
140
dB
G = 1000
130
140
150
dB
INPUT CURRENT
Input Bias Current
0.5
1.5
0.2
0.4
nA
Over Temperature
T = 40°C to +85°C
2.0
1
nA
Average TC
1
pA/°C
Input Offset Current
0.2
0.6
0.1
0.4
nA
Over Temperature
T = 40°C to +85°C
0.8
0.6
nA
Average TC
1
pA/°C
REFERENCE INPUT
RIN
20
IIN
VIN+, VIN, VREF = 0
50
60
50
60
μA
Voltage Range
–VS
+VS
–VS
+VS
V
Gain to Output
1 ± 0.0001
V/V
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PDF描述
170M6411 FUSE 700A 690V 3BN/50 AR UC
MCP601-E/ST IC OPAMP SNGL 2.7V 8TSSOP
LRC-LRF1206LF-01-R020-F RES .020 OHM 0.5W 1% 1206 SMD
MCP6G01-E/SN IC GAIN BLOCK 1.8V 1CH 8SOIC
TSM-107-01-T-DV CONN HEADER 14POS .100" DBL SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
AD8221BRZ 功能描述:IC AMP INSTRUMENT PREC HP 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 放大器类型:通用 电路数:4 输出类型:- 转换速率:0.6 V/µs 增益带宽积:1MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:45nA 电压 - 输入偏移:2000µV 电流 - 电源:1.4mA 电流 - 输出 / 通道:40mA 电压 - 电源,单路/双路(±):3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:14-TSSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:LM324ADTBR2G-NDLM324ADTBR2GOSTR
AD8221BRZ-R7 功能描述:IC AMP INST PREC LN 18MA 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:J-FET 电路数:2 输出类型:- 转换速率:13 V/µs 增益带宽积:3MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:65pA 电压 - 输入偏移:3000µV 电流 - 电源:1.4mA 电流 - 输出 / 通道:- 电压 - 电源,单路/双路(±):7 V ~ 36 V,±3.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件
AD8221BRZ-RL 功能描述:IC AMP INST PREC LN 18MA 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:J-FET 电路数:2 输出类型:- 转换速率:13 V/µs 增益带宽积:3MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:65pA 电压 - 输入偏移:3000µV 电流 - 电源:1.4mA 电流 - 输出 / 通道:- 电压 - 电源,单路/双路(±):7 V ~ 36 V,±3.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件
AD8221-EVAL 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Precision Instrumentation Amplifier
AD8221TRMZ-EP 功能描述:IC OPAMP INSTR 825KHZ 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 放大器类型:仪表 电路数:1 输出类型:- 压摆率:2 V/μs -3db 带宽:825kHz 电流 - 输入偏置:2nA 电压 - 输入失调:70μV 电流 - 电源:900μA 电流 - 输出/通道:18mA 电压 - 电源,单/双(±):±2.3 V ~ 18 V 工作温度:-55°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:50