参数资料
型号: AD8227BRZ-R7
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 18/24页
文件大小: 0K
描述: IC AMP INSTR R-R 250KHZ 8-SOIC
标准包装: 1,000
放大器类型: 仪表
电路数: 1
输出类型: 满摆幅
转换速率: 0.8 V/µs
-3db带宽: 250kHz
电流 - 输入偏压: 20nA
电压 - 输入偏移: 100µV
电流 - 电源: 350µA
电流 - 输出 / 通道: 13mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 2.2 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
AD8227
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24
SPECIFICATIONS
+VS = +15 V, VS = 15 V, VREF = 0 V, TA = 25°C, G = 5, RL = 10 kΩ, specifications referred to input, unless otherwise noted.
Table 2.
Test Conditions/
A Grade
B Grade
Parameter
Comments
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
COMMON-MODE REJECTION RATIO
VCM = 10 V to +10 V
DC to 60 Hz
G = 5
90
100
dB
G = 10
96
105
dB
G = 100
105
110
dB
G = 1000
105
110
dB
5 kHz
G = 5
80
dB
G = 10
86
dB
G = 100
86
dB
G = 1000
86
dB
NOISE
Total noise:
eN = √(eNI2 + (eNO/G)2)
Voltage Noise, 1 kHz
Input Voltage Noise, eNI
24
25
24
25
nV/√Hz
Output Voltage Noise, eNO
310
315
310
315
nV/√Hz
RTI
f = 0.1 Hz to 10 Hz
G = 5
1.5
μV p-p
G = 10
0.9
μV p-p
G = 100 to 1000
0.5
μV p-p
Current Noise
f = 1 kHz
100
fA/√Hz
f = 0.1 Hz to 10 Hz
3
pA p-p
VOLTAGE OFFSET
Total offset voltage:
VOS = VOSI + (VOSO/G)
Input Offset, VOSI
VS = ±5 V to ±15 V
200
100
μV
Average Temperature Drift
TA = 40°C to +125°C
0.2
2
0.2
1
μV/°C
Output Offset, VOSO
VS = ±5 V to ±15 V
1000
500
μV
Average Temperature Drift
TA = 40°C to +125°C
2
10
2
5
μV/°C
Offset RTI vs. Supply (PSR)
VS = ±5 V to ±15 V
G = 5
90
100
dB
G = 10
96
105
dB
G = 100
105
110
dB
G = 1000
105
110
dB
INPUT CURRENT
Input Bias Current1
TA = +25°C
5
20
27
5
20
27
nA
TA = +125°C
5
15
25
5
15
25
nA
TA = 40°C
5
30
35
5
30
35
nA
Average Temperature Drift
TA = 40°C to +125°C
70
pA/°C
Input Offset Current
TA = +25°C
1.5
nA
TA = +125°C
1.5
nA
TA = 40°C
2
nA
Average Temperature Drift
TA = 40°C to +125°C
5
pA/°C
REFERENCE INPUT
RIN
60
IIN
12
μA
Voltage Range
VS
+VS
VS
+VS
V
Reference Gain to Output
1
V/V
Reference Gain Error
0.01
%
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PDF描述
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