参数资料
| 型号： | AD822BRZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 21/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R 1.9MHZ LP 8SOIC |
| 设计资源： | 16-Bit Fully Isolated 4 mA to 20 mA Output Module Using AD5662, ADuM1401, and External Amplifiers (CN0064) |
| 标准包装： | 98 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 3 V/µs |
| 增益带宽积： | 1.9MHz |
| -3db带宽： | 1.9MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 2pA |
| 电压 - 输入偏移： | 300µV |
| 电流 - 电源： | 1.4mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 20mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 36 V，±1.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 773 (CN2011-ZH PDF) |
AD822
Rev. I | Page 6 of 24
VS = ±5 V @ TA = 25°C, VCM = 0 V, VOUT = 0 V, unless otherwise noted.
Table 2.
A Grade
B Grade
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
DC PERFORMANCE
Initial Offset
0.1
0.8
0.1
0.4
mV
Maximum Offset Over Temperature
0.5
1.5
0.5
1
mV
Offset Drift
2
μV/°C
Input Bias Current
VCM = 5 V to +4 V
2
25
2
10
pA
At TMAX
0.5
5
0.5
2.5
nA
Input Offset Current
2
20
2
10
pA
At TMAX
0.5
nA
Open-Loop Gain
VOUT = 4 V to +4 V
RL = 100 kΩ
400
1000
400
1000
V/mV
TMIN to TMAX
400
V/mV
RL = 10 kΩ
80
150
80
150
V/mV
TMIN to TMAX
80
V/mV
RL = 1 kΩ
20
30
20
30
V/mV
TMIN to TMAX
10
V/mV
NOISE/HARMONIC PERFORMANCE
Input Voltage Noise
f = 0.1 Hz to 10 Hz
2
μV p-p
f = 10 Hz
25
nV/√Hz
f = 100 Hz
21
nV/√Hz
f = 1 kHz
16
nV/√Hz
f = 10 kHz
13
nV/√Hz
Input Current Noise
f = 0.1 Hz to 10 Hz
18
fA p-p
f = 1 kHz
0.8
fA/√Hz
Harmonic Distortion
RL = 10 kΩ
f = 10 kHz
VOUT = ±4.5 V
93
dB
DYNAMIC PERFORMANCE
Unity-Gain Frequency
1.9
MHz
Full Power Response
VOUT p-p = 9 V
105
kHz
Slew Rate
3
V/μs
Settling Time
to 0.1%
VOUT = 0 V to ±4.5 V
1.4
μs
to 0.01%
VOUT = 0 V to ±4.5 V
1.8
μs
MATCHING CHARACTERISTICS
Initial Offset
1.0
0.5
mV
Maximum Offset Over Temperature
3
2
mV
Offset Drift
3
μV/°C
Input Bias Current
25
10
pA
Crosstalk @ f = 1 kHz
RL = 5 kΩ
130
dB
Crosstalk @ f = 100 kHz
RL = 5 kΩ
93
dB
INPUT CHARACTERISTICS
5.2
+4
5.2
+4
V
Common-Mode Rejection Ratio (CMRR)
VCM = 5 V to +2 V
66
80
69
80
dB
TMIN to TMAX
VCM = 5 V to +2 V
66
dB
Input Impedance
Differential
1013||0.5
Ω||pF
Common Mode
1013||2.8
Ω||pF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LT1881AIS8#PBF | IC OPAMP DUAL R-R PICO/IN 8SOIC |
| OP470GPZ | IC OPAMP GP 6MHZ QUAD LN 14DIP |
| OP490GSZ | IC OPAMP GP 20KHZ QUAD 16SOIC |
| OP490GPZ | IC OPAMP GP 20KHZ QUAD 14DIP |
| OP497GSZ | IC OPAMP GP 500KHZ QUAD 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AD822BRZ-REEL | 功能描述:IC OPAMP GP R-R 1.9MHZ LP 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:J-FET 电路数:2 输出类型:- 转换速率:13 V/µs 增益带宽积:3MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:65pA 电压 - 输入偏移:3000µV 电流 - 电源:1.4mA 电流 - 输出 / 通道:- 电压 - 电源，单路/双路(±):7 V ~ 36 V，±3.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 |
| AD822BRZ-REEL7 | 功能描述:IC OPAMP GP R-R 1.9MHZ LP 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:J-FET 电路数:2 输出类型:- 转换速率:13 V/µs 增益带宽积:3MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:65pA 电压 - 输入偏移:3000µV 电流 - 电源:1.4mA 电流 - 输出 / 通道:- 电压 - 电源，单路/双路(±):7 V ~ 36 V，±3.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 |
| AD822-EP | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Sinle-Supply, Rail-to-Rail Low Power FET-Input Op Amp |
| AD822SQ/883B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Voltage-Feedback Operational Amplifier |
| AD822TRZ-EP | 制造商:Analog Devices 功能描述:OP Amp Dual GP R-R O/P 制造商:Analog Devices 功能描述:ENHANCED PLASTIC PROCESS - Rail/Tube 制造商:Analog Devices Inc. 功能描述:Precision Amplifiers Enhanced Plastic Process 制造商:Analog Devices 功能描述:IC, OP-AMP; Op Amp Type:Low Power; No. of Amplifiers:2; Slew Rate:3V/s; Supply Voltage Range: 2.5V to 15V; Amplifier Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Bandwidth:1.8MHz; Operating Temperature Min:-40C ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Analog Devices 功能描述:Op Amp FET-in 5-30V RRO Low Power SOIC8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。