参数资料
| 型号： | AD845JR-16 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP JFET 16MHZ PREC 16SOIC |
| 标准包装： | 47 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 100 V/µs |
| 增益带宽积： | 16MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 750pA |
| 电压 - 输入偏移： | 700µV |
| 电流 - 电源： | 10mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 50mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±4.75 V ~ 18 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
AD845
REV. E
–3–
ORDERING GUIDE
Temperature
Package
Model
Range
Description
Option
1
AD845JN
0
∞C to 70∞C
8-Lead PDIP
N-8
AD845KN
0
∞C to 70∞C
8-Lead PDIP
N-8
AD845JR-16
0
∞C to 70∞C
16-Lead SOIC
R-16
AD845JR-16-REEL
0
∞C to 70∞CTape and Reel
R-16
AD845JR-16-REEL7
0
∞C to 70∞CTape and Reel
R-16
AD845AQ
–40
∞C to +85∞C
8-Lead CERDIP
Q-8
AD845BQ
–40
∞C to +85∞C
8-Lead CERDIP
Q-8
AD845SQ
–55
∞C to +125∞C
8-Lead CERDIP
Q-8
AD845SQ/883B
–55
∞C to +125∞C
8-Lead CERDIP
Q-8
5962-8964501PA
2
–55
∞C to +125∞C
8-Lead CERDIP
Q-8
AD845JCHIPS
0
∞C to 70∞CDie
NOTES
1N = Plastic DIP; Q = CERDIP; R = Small Outline IC (SOIC).
2See military data sheet.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±18 V
Internal Power Dissipation
2
Plastic Mini-DIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1.6 W
CERDIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1.4 W
16-Lead SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1.5 W
Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +VS
Output Short-Circuit Duration . . . . . . . . . . . . . . . . Indefinite
Differential Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . +VS and –VS
Storage Temperature Range
Q . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–65
∞C to +150∞C
N, R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–65
∞C to +125∞C
Lead Temperature Range (Soldering 60 sec) . . . . . . . . . 300
∞C
NOTES
1Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-
nent damage to the device. This is a stress rating only, and functional operation of
the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
2Mini-DIP package:
qJA = 100∞C/W; CERDIP package: qJA = 110∞C/W; SOIC
package:
qJA = 100∞C/W.
METALIZATION PHOTOGRAPH
Dimensions shown in inches and (mm).
Contact factory for latest dimensions.
SUBSTRATE CONNECTED TO +V
S
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