参数资料
型号: AD8510ARZ-REEL7
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 14/20页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP JFET 8MHZ PREC LN 8SOIC
设计资源: Versatile High Precision Programmable Current Sources Using DACs, Op Amps, and MOSFET Transistors (CN0151)
标准包装: 1,000
放大器类型: J-FET
电路数: 1
转换速率: 20 V/µs
增益带宽积: 8MHz
电流 - 输入偏压: 25pA
电压 - 输入偏移: 100µV
电流 - 电源: 2.2mA
电流 - 输出 / 通道: 70mA
电压 - 电源,单路/双路(±): ±4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 带卷 (TR)
AD8510/AD8512/AD8513
Rev. I | Page 3 of 20
SPECIFICATIONS
@ VS = ±5 V, VCM = 0 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 1.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage (B Grade)1
VOS
0.08
0.4
mV
40°C < TA < +125°C
0.8
mV
Offset Voltage (A Grade)
VOS
0.1
0.9
mV
40°C < TA < +125°C
1.8
mV
Input Bias Current
IB
21
75
pA
40°C < TA < +85°C
0.7
nA
40°C < TA < +125°C
7.5
nA
Input Offset Current
IOS
5
50
pA
40°C < TA < +85°C
0.3
nA
40°C < TA < +125°C
0.5
nA
Input Capacitance
Differential
12.5
pF
Common Mode
11.5
pF
Input Voltage Range
2.0
+2.5
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = 2.0 V to +2.5 V
86
100
dB
Large-Signal Voltage Gain
AVO
RL = 2 kΩ, VO = 3 V to +3 V
65
107
V/mV
Offset Voltage Drift (B Grade)1
ΔVOS/ΔT
0.9
5
μV/°C
Offset Voltage Drift (A Grade)
ΔVOS/ΔT
1.7
12
μV/°C
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
RL = 10 kΩ
4.1
4.3
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 10 kΩ, 40°C < TA < +125°C
4.9
4.7
V
Output Voltage High
VOH
RL = 2 kΩ
3.9
4.2
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 2 kΩ, 40°C < TA < +125°C
4.9
4.5
V
Output Voltage High
VOH
RL = 600 Ω
3.7
4.1
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 600 Ω, 40°C < TA < +125°C
4.8
4.2
V
Output Current
IOUT
±40
±54
mA
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = ±4.5 V to ±18 V
86
130
dB
Supply Current/Amplifier
ISY
AD8510/AD8512/AD8513
VO = 0 V
2.0
2.3
mA
AD8510/AD8512
40°C < TA < +125°C
2.5
mA
AD8513
40°C < TA < +125°C
2.75
mA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 2 kΩ
20
V/μs
Gain Bandwidth Product
GBP
8
MHz
Settling Time
tS
To 0.1%, 0 V to 4 V step, G = +1
0.4
μs
Total Harmonic Distortion (THD) + Noise
THD + N
1 kHz, G = +1, RL = 2 kΩ
0.0005
%
Phase Margin
φM
44.5
Degrees
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise Density
en
f = 10 Hz
34
nV/√Hz
f = 100 Hz
12
nV/√Hz
f = 1 kHz
8.0
10
nV/√Hz
f = 10 kHz
7.6
nV/√Hz
Peak-to-Peak Voltage Noise
en p-p
0.1 Hz to 10 Hz bandwidth
2.4
5.2
μV p-p
1 AD8510/AD8512 only.
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TSW-145-08-S-S CONN HEADER 45POS .100" SGL GOLD
MMB23-011 CONN RACK/PANEL 11POS 5A
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AD8510BR 制造商:Analog Devices 功能描述:OP Amp Single GP 制造商:Analog Devices 功能描述:AMPLIFIER IC NUMBER OF CIRCUITS:1
AD8510BR-REEL 功能描述:IC OPAMP JFET 8MHZ PREC LN 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:100 系列:- 放大器类型:通用 电路数:1 输出类型:- 转换速率:0.2 V/µs 增益带宽积:- -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:100pA 电压 - 输入偏移:30µV 电流 - 电源:380µA 电流 - 输出 / 通道:- 电压 - 电源,单路/双路(±):±2 V ~ 18 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SO 包装:管件
AD8510BR-REEL7 制造商:Analog Devices 功能描述:OP Amp Single GP 制造商:Analog Devices 功能描述:OP Amp Single GP ±15V 8-Pin SOIC N T/R
AD8510BRZ 功能描述:IC OPAMP JFET 8MHZ PREC LN 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 放大器类型:通用 电路数:4 输出类型:- 转换速率:0.6 V/µs 增益带宽积:1MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:45nA 电压 - 输入偏移:2000µV 电流 - 电源:1.4mA 电流 - 输出 / 通道:40mA 电压 - 电源,单路/双路(±):3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) 供应商设备封装:14-TSSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:LM324ADTBR2G-NDLM324ADTBR2GOSTR
AD8510BRZ-REEL 功能描述:IC OPAMP JFET 8MHZ PREC LN 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:LinCMOS™ 放大器类型:通用 电路数:4 输出类型:- 转换速率:0.05 V/µs 增益带宽积:110kHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:0.7pA 电压 - 输入偏移:210µV 电流 - 电源:57µA 电流 - 输出 / 通道:30mA 电压 - 电源,单路/双路(±):3 V ~ 16 V,±1.5 V ~ 8 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:14-SOIC 包装:管件 产品目录页面:865 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:296-1834296-1834-5