参数资料
| 型号： | AD8512BRZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 17/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP JFET 8MHZ DUAL LN 8SOIC |
| 设计资源： | Precision, Bipolar Configuration for the AD5546/56 DAC (CN0024) Precision, Bipolar, Configuration for AD5547/AD5557 DAC (CN0028) |
| 标准包装： | 98 |
| 放大器类型： | J-FET |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 20 V/µs |
| 增益带宽积： | 8MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 25pA |
| 电压 - 输入偏移： | 80µV |
| 电流 - 电源： | 2.2mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 772 (CN2011-ZH PDF) |
AD8510/AD8512/AD8513
Rev. I | Page 6 of 20
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Table 3.
Parameter
Rating
Supply Voltage
±18 V
Input Voltage
±VS
Output Short-Circuit Duration to GND
Observe derating curves
Storage Temperature Range
65°C to +150°C
Operating Temperature Range
40°C to +125°C
Junction Temperature Range
65°C to +150°C
Lead Temperature (Soldering, 10 sec)
300°C
Electrostatic Discharge
(Human Body Model)
2000 V
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings
may cause permanent damage to the device. This is a stress
rating only; functional operation of the device at these or any
other conditions above those indicated in the operational
section of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect
device reliability.
Table 4. Thermal Resistance
Package Type
θJA1
θJC
Unit
8-Lead MSOP (RM)
210
45
°C/W
8-Lead SOIC_N (R)
158
43
°C/W
14-Lead SOIC_N (R)
120
36
°C/W
14-Lead TSSOP (RU)
180
35
°C/W
1 θJA is specified for worst-case conditions, that is, θJA is specified for device
soldered in circuit board for surface-mount packages.
ESD CAUTION
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP495GPZ | IC OPAMP GP R-R 85KHZ QUAD 14DIP |
| 0705550003 | CONN HEADER 4POS .100 R/A TIN |
| AD8369ARUZ | IC AMP VGA 16TSSOP |
| OP495GSZ | IC OPAMP GP R-R 85KHZ 16SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AD8512BRZ-REEL | 功能描述:IC OPAMP JFET 8MHZ DUAL LN 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:50 系列:- 放大器类型:J-FET 电路数:2 输出类型:- 转换速率:13 V/µs 增益带宽积:3MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:65pA 电压 - 输入偏移:3000µV 电流 - 电源:1.4mA 电流 - 输出 / 通道:- 电压 - 电源，单路/双路(±):7 V ~ 36 V，±3.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-PDIP 包装:管件 |
| AD8512BRZ-REEL7 | 功能描述:IC OPAMP JFET 8MHZ DUAL LN 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:150 系列:- 放大器类型:音频 电路数:2 输出类型:- 转换速率:5 V/µs 增益带宽积:12MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:100nA 电压 - 输入偏移:500µV 电流 - 电源:6mA 电流 - 输出 / 通道:50mA 电压 - 电源，单路/双路(±):4 V ~ 32 V，±2 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-TSSOP 包装:管件 |
| AD8513 | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers |
| AD8513AR | 功能描述:IC OPAMP JFET 8MHZ QUAD 14SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:Excalibur™ 放大器类型:J-FET 电路数:1 输出类型:- 转换速率:45 V/µs 增益带宽积:10MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:20pA 电压 - 输入偏移:490µV 电流 - 电源:1.7mA 电流 - 输出 / 通道:48mA 电压 - 电源，单路/双路(±):4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| AD8513AR-REEL | 功能描述:IC OPAMP JFET 8MHZ QUAD 14SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:150 系列:- 放大器类型:音频 电路数:2 输出类型:- 转换速率:5 V/µs 增益带宽积:12MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:100nA 电压 - 输入偏移:500µV 电流 - 电源:6mA 电流 - 输出 / 通道:50mA 电压 - 电源，单路/双路(±):4 V ~ 32 V，±2 V ~ 16 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-TSSOP 包装:管件 |
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