参数资料
型号: AD8542AR-REEL7
厂商: Analog Devices Inc
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文件大小: 0K
描述: IC OPAMP GP R-R CMOS 1MHZ 8SOIC
标准包装: 1
放大器类型: 通用
电路数: 2
输出类型: 满摆幅
转换速率: 0.92 V/µs
增益带宽积: 1MHz
电流 - 输入偏压: 4pA
电压 - 输入偏移: 1000µV
电流 - 电源: 45µA
电流 - 输出 / 通道: 30mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 2.7 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
其它名称: AD8542AR-REEL7DKR
AD8541/AD8542/AD8544
Rev. G | Page 3 of 20
SPECIFICATIONS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
VS = 2.7 V, VCM = 1.35 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 1.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
1
6
mV
40°C ≤ TA ≤ +125°C
7
mV
Input Bias Current
IB
4
60
pA
40°C ≤ TA ≤ +85°C
100
pA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
1000
pA
Input Offset Current
IOS
0.1
30
pA
40°C ≤ TA ≤ +85°C
50
pA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
500
pA
Input Voltage Range
0
2.7
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = 0 V to 2.7 V
40
45
dB
40°C ≤ TA ≤ +125°C
38
dB
Large Signal Voltage Gain
AVO
RL = 100 kΩ, VO = 0.5 V to 2.2 V
100
500
V/mV
40°C ≤ TA ≤ +85°C
50
V/mV
40°C ≤ TA ≤ +125°C
2
V/mV
Offset Voltage Drift
ΔVOS/ΔT
40°C ≤ TA ≤ +125°C
4
μV/°C
Bias Current Drift
ΔIB/ΔT
40°C ≤ TA ≤ +85°C
100
fA/°C
40°C ≤ TA ≤ +125°C
2000
fA/°C
Offset Current Drift
ΔIOS/ΔT
40°C ≤ TA ≤ +125°C
25
fA/°C
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
IL = 1 mA
2.575
2.65
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
2.550
V
Output Voltage Low
VOL
IL = 1 mA
35
100
mV
40°C ≤ TA ≤ +125°C
125
mV
Output Current
IOUT
VOUT = VS 1 V
15
mA
ISC
±20
mA
Closed-Loop Output Impedance
ZOUT
f = 200 kHz, AV = 1
50
Ω
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = 2.5 V to 6 V
65
76
dB
40°C ≤ TA ≤ +125°C
60
dB
Supply Current/Amplifier
ISY
VO = 0 V
38
55
μA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
75
μA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 100 kΩ
0.4
0.75
V/μs
Settling Time
tS
To 0.1% (1 V step)
5
μs
Gain Bandwidth Product
GBP
980
kHz
Phase Margin
ΦM
63
Degrees
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
40
nV/√Hz
en
f = 10 kHz
38
nV/√Hz
Current Noise Density
in
<0.1
pA/√Hz
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