参数资料
| 型号： | AD8542ARZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 7/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R CMOS 1MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.92 V/µs |
| 增益带宽积： | 1MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 4pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1000µV |
| 电流 - 电源： | 45µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 766 (CN2011-ZH PDF) |
AD8541/AD8542/AD8544
Rev. G | Page 15 of 20
PHOTODIODE APPLICATION
The AD854x family has very high impedance with an input bias
current typically around 4 pA. This characteristic allows the
AD854x op amps to be used in photodiode applications and
other applications that require high input impedance. Note that
the AD854x has significant voltage offset that can be removed
by capacitive coupling or software calibration.
Figure 40 illustrates a photodiode or current measurement
application. The feedback resistor is limited to 10 MΩ to avoid
excessive output offset. In addition, a resistor is not needed on
the noninverting input to cancel bias current offset because the
bias current-related output offset is not significant when compared
to the voltage offset contribution. For best performance, follow the
standard high impedance layout techniques, which include the
following:
Shielding the circuit.
Cleaning the circuit board.
Putting a trace connected to the noninverting input around
the inverting input.
Using separate analog and digital power supplies.
AD8541
4
6
7
3
2
D
OR
V+
2.5VREF
C
100pF
R
10M
2.5VREF
VOUT
00
93
5-
0
39
Figure 40. High Input Impedance Application—Photodiode Amplifier
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| AD8542ARZ-REEL7 | 功能描述:IC OPAMP GP R-R CMOS 1MHZ 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 特色产品:CMOS Operational Amplifier 标准包装:2,500 系列:- 放大器类型:通用 电路数:2 输出类型:满摆幅 转换速率:1 V/µs 增益带宽积:1MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:1pA 电压 - 输入偏移:1000µV 电流 - 电源:900µA 电流 - 输出 / 通道:1mA 电压 - 电源，单路/双路(±):5 V ~ 14.5 V，±2.5 V ~ 7.25 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-SOP 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1372 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:BD7562SF-E2TR |
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