参数资料
| 型号： | AD8599ARZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 15/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP 10MHZ DUAL ULN 8SOIC |
| 设计资源： | Using AD8599 as an Ultralow Distortion Driver for the AD7991 (CN0043) Using AD8599 as an Ultralow Distortion Driver for the AD7995 (CN0044) Using AD8599 as an Ultralow Distortion Driver for the AD7999 (CN0045) High Speed Instrumentation Amplifier Using AD8271 and ADA4627-1 (CN0122) |
| 标准包装： | 98 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 转换速率： | 16 V/µs |
| 增益带宽积： | 10MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 25nA |
| 电压 - 输入偏移： | 10µV |
| 电流 - 电源： | 5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 52mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 9 V ~ 36 V，±4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 772 (CN2011-ZH PDF) |
AD8597/AD8599
Data Sheet
Rev. E | Page 4 of 20
VS = ±15 V, VCM = 0 V, VO = 0 V, TA = +25°C, unless otherwise specified.
Table 3.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
10
120
μV
40°C ≤ TA ≤ +125°C
180
μV
Offset Voltage Drift
ΔVOS/ΔT
40°C ≤ TA ≤ +125°C
0.8
2.2
μV/°C
Input Bias Current
IB
25
200
nA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
300
nA
Input Offset Current
IOS
50
200
nA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
300
nA
Input Voltage Range
IVR
12.5
+12.5
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
12.5 V ≤ VCM ≤ +12.5 V
120
135
dB
40°C ≤ TA ≤ +125°C
115
dB
Large Signal Voltage Gain
AVO
RL ≥ 600 Ω, VO = 11 V to +11 V
110
116
dB
40°C ≤ TA ≤ +125°C
106
dB
Input Capacitance
Differential Capacitance
CDIFF
12.1
pF
Common-Mode Capacitance
CCM
5.1
pF
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
RL = 600 Ω
13.1
13.4
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
12.8
V
RL = 2 kΩ
13.5
13.7
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
13.2
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 600 Ω
13.2
12.9
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
12.8
V
RL = 2 kΩ
13.5
13.4
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
13.3
V
Output Short-Circuit Current
ISC
±52
mA
Closed-Loop Output Impedance
ZOUT
At 1 MHz, AV = 1
5
Ω
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VSY = ±18 V to ±4.5 V
120
140
dB
40°C ≤ TA ≤ +125°C
118
dB
Supply Current per Amplifier
ISY
5.0
5.7
mA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
6.75
mA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
AV = 1, RL = 2 kΩ
16
V/μs
AV = 1, RL = 2 kΩ
15
V/μs
Settling Time
ts
To 0.01%, step = 10 V
2
μs
Gain Bandwidth Product
GBP
10
MHz
Phase Margin
ΦM
65
Degrees
NOISE PERFORMANCE
Peak-to-Peak Noise
en p-p
0.1 Hz to 10 Hz
76
nV p-p
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
1.07
1.15
nV/√Hz
f = 10 Hz
1.5
nV/√Hz
Correlated Current Noise
f = 1 kHz
1.9
pA/√Hz
f = 10 Hz
4.3
pA/√Hz
Uncorrelated Current Noise
f = 1 kHz
2.3
pA/√Hz
f = 10 Hz
5.3
pA/√Hz
Total Harmonic Distortion + Noise
THD + N
G = 1, RL ≥ 1 kΩ, f = 1 kHz, VRMS = 3 V
120
dB
Channel Separation
CS
f = 10 kHz
120
dB
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