参数资料
| 型号： | AD8607ARM-R2 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 11/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R CMOS DUAL 8MSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 0.1 V/µs |
| 增益带宽积： | 400kHz |
| 电流 - 输入偏压： | 0.2pA |
| 电压 - 输入偏移： | 12µV |
| 电流 - 电源： | 40µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 70mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5 V，±0.9 V ~ 2.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | AD8607ARM-R2DKR |
AD8603/AD8607/AD8609
Rev. C | Page 4 of 16
VS = 1.8 V, VCM = VS/2, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 2.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
VS = 3.3 V @ VCM = 0.5 V and 2.8 V
12
50
μV
0.3 V < VCM < +1.8 V
40
300
μV
40°C < TA < +85°C, 0.3 V < VCM < +1.8 V
500
μV
40°C < TA < +125°C, 0.3 V < VCM < +1.7 V
700
μV
Offset Voltage Drift
VOS/T
40°C < TA < +125°C
1
4.5
μV/°C
Input Bias Current
IB
0.2
1
pA
40°C < TA < +85°C
50
pA
40°C < TA < +125°C
500
pA
Input Offset Current
IOS
0.1
0.5
pA
40°C < TA < +85°C
50
pA
40°C < TA < +125°C
250
pA
Input Voltage Range
IVR
0.3
+1.8
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
0 V < VCM < 1.8 V
80
98
dB
40°C < TA < +85°C
70
dB
Large Signal Voltage Gain
AVO
RL = 10 kΩ, 0.5 V < VO < 4.5 V
AD8603
150
3000
V/mV
AD8607/AD8609
100
2000
V/mV
Input Capacitance
CDIFF
2.1
pF
CCM
3.8
pF
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
IL = 1 mA
1.65
1.72
V
40°C to +125°C
1.6
V
Output Voltage Low
VOL
IL = 1 mA
38
60
mV
40°C to +125°C
80
mV
Short-Circuit Current
ISC
±10
mA
Closed-Loop Output Impedance
ZOUT
f = 10 kHz, AV = 1
36
Ω
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
1.8 V < VS < 5 V
80
100
dB
Supply Current per Amplifier
ISY
VO = 0 V
40
50
μA
40°C < TA < +85°C
60
μA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 10 kΩ
0.1
V/μs
Settling Time 0.1%
tS
G = ±1, 1 V step
9.2
μs
Gain Bandwidth Product
GBP
RL = 100 kΩ
385
kHz
RL = 10 kΩ
316
kHz
Phase Margin
O
RL = 10 kΩ, RL = 100 kΩ
70
Degrees
NOISE PERFORMANCE
Peak-to-Peak Noise
en p-p
0.1 Hz to 10 Hz
2.3
3.5
μV
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
25
nV/√Hz
f = 10 kHz
22
nV/√Hz
Current Noise Density
in
f = 1 kHz
0.05
pA/√Hz
Channel Separation
CS
f = 10 kHz
115
dB
f = 100 kHz
110
dB
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