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参数资料
| 型号： | AD8611ARM-R2 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 16/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC COMP SNGL 4NS ULTRFAST 8-MSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 05/Apr/2012 |
| 标准包装： | 250 |
| 类型： | 带锁销 |
| 元件数： | 1 |
| 输出类型： | 补充型，TTL |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 3 V ~ 5 V |
| 电压 - 输入偏移（最小值）： | 7mV @ 5V |
| 电流 - 输入偏压（最小值）： | 6µA @ 5V |
| 电流 - 静态（最大值）： | 10mA，4mA |
| CMRR, PSRR（标准）： | 85dB CMRR，73dB PSRR |
| 传输延迟（最大）： | 5.5ns |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AD8611/AD8612
Rev. A | Page 5 of 20
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Table 3.
Parameter
Rating
Total Analog Supply Voltage
7.0 V
Digital Supply Voltage
7.0 V
Input Voltage1
±4 V
Differential Input Voltage
±5 V
Output Short-Circuit Duration to GND
Indefinite
Storage Temperature Range
R, RU, RM Packages
65°C to +150°C
Operating Temperature Range
40°C to +85°C
Junction Temperature Range
R, RU, RM Packages
65°C to +150°C
Lead Temperature Range (Soldering, 10 sec)
300°C
1The analog input voltage is equal to ±4 V or the analog supply voltage,
whichever is less.
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings
may cause permanent damage to the device. This is a stress
rating only; functional operation of the device at these or any
other conditions above those indicated in the operational
section of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect
device reliability.
THERMAL RESISTANCE
Table 4.
Package Type
θJA1
θJC
Unit
8-Lead SOIC (R)
158
43
°C/W
8-Lead MSOP (RM)
240
43
°C/W
14-Lead TSSOP (RU)
240
43
°C/W
1θJA is specified for the worst-case conditions, that is, a device in socket for
P-DIP and a device soldered in circuit board for SOIC and TSSOP.
ESD CAUTION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily accumulate on
the human body and test equipment and can discharge without detection. Although this product features
proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may occur on devices subjected to high energy
electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions are recommended to avoid performance
degradation or loss of functionality.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AD8611ARMZ-R2 | 功能描述:IC COMP SNGL 4NS ULTRFAST 8-MSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 线性 - 比较器 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:通用 元件数:1 输出类型:CMOS，开路集电极，TTL 电压 - 电源，单路/双路(±):2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 输入偏移（最小值）:7mV @ 5V 电流 - 输入偏压（最小值）:0.25µA @ 5V 电流 - 输出（标准）:84mA @ 5V 电流 - 静态（最大值）:120µA CMRR, PSRR（标准）:- 传输延迟（最大）:600ns 磁滞:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 安装类型:表面贴装 包装:剪切带 (CT) 产品目录页面:1268 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:*LMV331M5*LMV331M5/NOPBLMV331M5CT |
| AD8611ARMZ-REEL | 功能描述:IC COMP SGL 4NS ULTRFAST 8MSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 线性 - 比较器 系列:- 标准包装:25 系列:- 类型:带电压基准 元件数:4 输出类型:CMOS，开路漏极，TTL 电压 - 电源，单路/双路(±):2 V ~ 11 V，±1 V ~ 5.5 V 电压 - 输入偏移（最小值）:10mV @ 5V 电流 - 输入偏压（最小值）:- 电流 - 输出（标准）:0.015mA @ 5V 电流 - 静态（最大值）:8.5µA CMRR, PSRR（标准）:80dB CMRR，80dB PSRR 传输延迟（最大）:12µs 磁滞:50mV 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:16-DIP（0.300"，7.62mm） 安装类型:通孔 包装:管件 |
| AD8611AR-REEL | 功能描述:IC COMP SNGL 4NS ULTRFAST 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 线性 - 比较器 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:2,500 系列:- 类型:通用 元件数:1 输出类型:CMOS，推挽式，满摆幅，TTL 电压 - 电源，单路/双路(±):2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V 电压 - 输入偏移（最小值）:5mV @ 5.5V 电流 - 输入偏压（最小值）:1pA @ 5.5V 电流 - 输出（标准）:- 电流 - 静态（最大值）:24µA CMRR, PSRR（标准）:80dB CMRR，80dB PSRR 传输延迟（最大）:450ns 磁滞:±3mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-WFBGA，CSPBGA 安装类型:表面贴装 包装:管件 其它名称:Q3554586 |
| AD8611AR-REEL7 | 功能描述:IC COMP SNGL 4NS ULTRFAST 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 线性 - 比较器 系列:- 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:2,500 系列:- 类型:通用 元件数:1 输出类型:CMOS，推挽式，满摆幅，TTL 电压 - 电源，单路/双路(±):2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V 电压 - 输入偏移（最小值）:5mV @ 5.5V 电流 - 输入偏压（最小值）:1pA @ 5.5V 电流 - 输出（标准）:- 电流 - 静态（最大值）:24µA CMRR, PSRR（标准）:80dB CMRR，80dB PSRR 传输延迟（最大）:450ns 磁滞:±3mV 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:6-WFBGA，CSPBGA 安装类型:表面贴装 包装:管件 其它名称:Q3554586 |
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