参数资料
| 型号： | AD8629WARZ-R7 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 21/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP CHOPPER R-R 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 零漂移 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 1 V/µs |
| 增益带宽积： | 2.5MHz |
| -3db带宽： | 2.5MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 30pA |
| 电压 - 输入偏移： | 1µV |
| 电流 - 电源： | 850µA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 5 V，±1.35 V ~ 2.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | AD8629WARZ-R7DKR |
AD8628/AD8629/AD8630
Data Sheet
Rev. J | Page 6 of 24
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Table 3.
Parameter
Rating
Supply Voltage
6 V
Input Voltage
GND – 0.3 V to VS + 0.3 V
Differential Input Voltage1
±5.0 V
Output Short-Circuit Duration to GND
Indefinite
Storage Temperature Range
65°C to +150°C
Operating Temperature Range
40°C to +125°C
Junction Temperature Range
65°C to +150°C
Lead Temperature (Soldering, 60 sec)
300°C
HBM 8-Lead SOIC
±7000V
FICDM 8-Lead SOIC
±1500V
FICDM 5-Lead TSOT
±1000V
MM 8-Lead SOIC
±200V
ESD AD8629
HBM 8-Lead SOIC
±4000V
FICDM 8-Lead SOIC
±1000V
ESD AD8630
HBM 14-Lead SOIC
±5000V
FICDM 14-Lead SOIC
±1500V
FICDM 14-Lead TSSOP
±1500V
MM 14-Lead SOIC
±200V
1
Differential input voltage is limited to ±5 V or the supply voltage, whichever
is less.
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings
may cause permanent damage to the device. This is a stress
rating only; functional operation of the device at these or any
other conditions above those indicated in the operational
section of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
θJA is specified for worst-case conditions, that is, θJA is specified
for the device soldered in a circuit board for surface-mount
packages. This was measured using a standard two-layer board.
Table 4.
Package Type
θJA
θJC
Unit
5-Lead TSOT (UJ-5)
207
61
°C/W
5-Lead SOT-23 (RJ-5)
230
146
°C/W
8-Lead SOIC_N (R-8)
158
43
°C/W
8-Lead MSOP (RM-8)
190
44
°C/W
14-Lead SOIC_N (R-14)
105
43
°C/W
14-Lead TSSOP (RU-14)
148
23
°C/W
ESD CAUTION
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