参数资料
| 型号： | AD8651ARZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 15/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP VF CMOS 50MHZ LN 8SOIC |
| 产品培训模块： | Top Five Problems in Photodiode Opamp Circuits |
| 标准包装： | 98 |
| 系列： | DigiTrim® |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 41 V/µs |
| 增益带宽积： | 50MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1pA |
| 电压 - 输入偏移： | 100µV |
| 电流 - 电源： | 9.5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 40mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 2.7 V ~ 5.5 V，±1.35 V ~ 2.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 772 (CN2011-ZH PDF) |
AD8651/AD8652
Data Sheet
Rev. D | Page 4 of 20
V+ = 5 V, V– = 0 V, VCM = V+/2, TA = 25°C, unless otherwise specified.
Table 2.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
0 V ≤ VCM ≤ 5 V
100
350
μV
–40°C ≤ TA ≤ +85°C, 0 V ≤ VCM ≤ 5 V
1.4
mV
–40°C ≤ TA ≤ +125°C, 0 V ≤ VCM ≤ 5 V
1.7
mV
0 V ≤ VCM ≤ 5 V
90
300
μV
–40°C ≤ TA ≤ +125°C, 0 V ≤ VCM ≤ 5 V
0.4
1.4
mV
Offset Voltage Drift
TCVOS
4
μV/°C
Input Bias Current
IB
1
10
pA
–40°C ≤ TA ≤ +85°C
30
pA
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
600
pA
Input Offset Current
IOS
1
10
pA
–40°C ≤ TA ≤ +85°C
30
pA
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
600
pA
Input Voltage Range
VCM
–0.1
+5.1
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
0.1 V < VCM < 5.1 V
80
95
dB
–40°C ≤ TA ≤ +85°C, 0.1 V < VCM < 5.1 V
75
94
dB
–40°C ≤ TA ≤ +125°C, 0.1 V < VCM < 5.1 V
70
90
dB
0.1 V < VCM < 5.1 V
84
100
dB
–40°C ≤ TA ≤ +125°C, 0.1 V < VCM < 5.1 V
76
95
dB
Large Signal Voltage Gain
AVO
RL = 1 k, 200 mV < VO < 4.8 V
100
115
dB
RL = 1 k, 200 mV < VO < 4.8 V, TA = 85°C
98
114
dB
RL = 1 k, 200 mV < VO < 4.8 V, TA = 125°C
95
111
dB
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
IL = 250 A, –40°C ≤ TA ≤ +125°C
4.97
V
Output Voltage Low
VOL
IL = 250 A, –40°C ≤ TA ≤ +125°C
30
mV
Short-Circuit Limit
ISC
Sourcing
80
mA
Sinking
80
mA
Output Current
IO
40
mA
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = 2.7 V to 5.5 V, VCM = 0 V
76
94
dB
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
74
93
dB
Supply Current
ISY
IO = 0
9.5
14.0
mA
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
15
mA
IO = 0
17.5
20.0
mA
–40°C ≤ TA ≤ +125°C
23.5
mA
INPUT CAPACITANCE
CIN
Differential
6
pF
Common Mode
9
pF
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
G = 1, RL = 10 k
41
V/s
Gain Bandwidth Product
GBP
G = 1
50
MHz
Settling Time, 0.01%
G = ±1, 2 V step
0.2
μs
Overload Recovery Time
VIN × G = 1.2 V+
0.1
μs
Total Harmonic Distortion + Noise
THD + N
G = 1, RL = 600 , f = 1 kHz, VIN = 2 V p-p
0.0006
%
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise Density
en
f = 10 kHz
5
nV/√Hz
f = 100 kHz
4.5
nV/√Hz
Current Noise Density
in
f = 10 kHz
4
fA/√Hz
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