参数资料
| 型号： | AD8675ARZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R 10MHZ PREC 8SOIC |
| 产品培训模块： | Top Five Problems in Photodiode Opamp Circuits |
| 产品变化通告： | Product/Process Change Notice 21/Dec/2009 |
| 设计资源： | How to Achieve High Precision Voltage Level Setting Using AD5541A/42A (CN0169) |
| 标准包装： | 98 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 2.5 V/µs |
| 增益带宽积： | 10MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 500pA |
| 电压 - 输入偏移： | 10µV |
| 电流 - 电源： | 2.5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 35mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 10 V ~ 36 V，±5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 767 (CN2011-ZH PDF) |
Data Sheet
AD8675
Rev. E | Page 3 of 12
SPECIFICATIONS
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
VS = ±5.0 V, VCM = 0 V, VO = 0 V, TA = +25°C, unless otherwise specified.
Table 2.
Parameter
Symbol
Test Conditions/Comments
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
V
OS
10
75
V
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
12
240
V
Offset Voltage Drift
ΔV
OS/ΔT
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
0.2
0.6
V/°C
Input Bias Current
I
B
2
+0.5
+2
nA
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
5.5
2
+5.5
nA
Input Offset Current
I
OS
1
+0.1
+1
nA
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
2.8
+0.1
+2.8
nA
Input Voltage Range
IVR
3.0
+3.0
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
V
CM = 3.0 V to +3.0 V
105
130
dB
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
105
dB
Open-Loop Gain
A
VO
R
L = 2 k to ground,
120
126
dB
V
O = 3.5 V to +3.5 V
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
117
dB
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
V
OH
R
L = 10 k to ground
4.90
4.95
V
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
4.85
V
R
L = 2 k to ground
4.80
4.90
V
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
4.75
V
Output Voltage Low
V
OL
R
L = 10 k to ground
4.98
4.90
V
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
4.85
V
R
L = 2 k to ground
4.91
4.86
V
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
4.82
V
Short-Circuit Limit
I
SC
±35
mA
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
V
S = ±5.0 V to ±15.0 V
120
140
dB
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
120
dB
Supply Current/Amplifier
I
SY
V
O = 0 V
2.3
2.7
mA
40°C ≤ T
A ≤ +125°C
3.4
mA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
R
L = 2 k
2.5
V/s
Gain Bandwidth Product
GBP
10
MHz
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise
e
n p-p
0.1 Hz to 10 Hz
0.1
V p-p
Voltage Noise Density
e
n
f = 1 kHz
2.8
nV/√Hz
Current Noise Density
i
n
f = 10 Hz
0.3
pA/√Hz
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