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参数资料
| 型号： | AD8676BRMZ-REEL |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP GP R-R 10MHZ DUAL 8MSOP |
| 设计资源： | Logarithmic Audio Volume Control with Glitch Reduction Using AD5292 (CN0120) 18-Bit Accurate, low noise, precision bipolar DC voltage source (CN0177) |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 通用 |
| 电路数： | 2 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 2.5 V/µs |
| 增益带宽积： | 10MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 2nA |
| 电压 - 输入偏移： | 12µV |
| 电流 - 电源： | 2.7mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 20mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 10 V ~ 36 V，±5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 767 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | AD8676BRMZ-REELDKR |
AD8676
Data Sheet
Rev. C | Page 4 of 12
VS = ±15 V, VCM = 0 V, VO = 0 V, TA = +25°C, unless otherwise specified.
Table 3.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
B Grade (SOIC)
12
50
μV
B Grade (MSOP)
60
μV
A Grade (SOIC, MSOP)
100
μV
Offset Voltage
VOS
40°C ≤ TA ≤ +125°C
B Grade (SOIC, MSOP)
15
160
μV
A Grade (SOIC, MSOP)
250
μV
Input Bias Current
IB
2
+2
nA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
4.5
+4.5
nA
Input Offset Current
IOS
1
+1
nA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
2.8
+2.8
nA
Input Voltage Range
12.5
+12.5
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = 12.5 V to +12.5 V
111
130
dB
40°C ≤ TA ≤ +125°C
107
130
dB
Open-Loop Gain
AVO
RL = 2 kΩ to ground,
123
132
dB
VO = 13.5 V to +13.5 V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
117
dB
Offset Voltage Drift
ΔVOS/ΔT
40°C ≤ TA ≤ +125°C
0.2
0.6
μV/°C
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
RL = 10 kΩ to ground
+14.85
+14.92
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
+14.80
V
RL = 2 kΩ to ground
+14.60
+14.75
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
+14.40
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 10 kΩ to ground
14.96
14.94
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
14.90
V
RL = 2 kΩ to ground
14.85
14.75
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
14.60
V
Short-Circuit Limit
ISC
+40
mA
Output Current
IO
±20
mA
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VS = ±5.0 V to ±15.0 V
106
120
dB
40°C ≤ TA ≤ +125°C
106
dB
Supply Current/Amplifier
ISY
VO = 0 V
2.7
3.4
mA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
4.2
mA
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL =10 kΩ
2.5
V/μs
Gain Bandwidth Product
GBP
10
MHz
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise
en p-p
0.1 Hz to 10 Hz
0.1
μV p-p
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
2.8
nV/√Hz
Current Noise Density
in
f = 10 Hz
0.3
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