参数资料
型号: ADA4084-2ACPZ-R7
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 26/29页
文件大小: 0K
描述: IC OPAMP GP RRIO 10MHZ DL 8LFCSP
标准包装: 1,500
放大器类型: 通用
电路数: 2
输出类型: 满摆幅
转换速率: 4.6 V/µs
增益带宽积: 15.9MHz
-3db带宽: 13.9MHz
电流 - 输入偏压: 140nA
电压 - 输入偏移: 130µV
电流 - 电源: 625µA
电流 - 输出 / 通道: 30mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 15 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商设备封装: *
包装: *
Data Sheet
ADA4084-2
Rev. C | Page 5 of 28
VSY = ±15.0 V, VCM = 0 V, TA = 25°C, unless otherwise noted.
Table 4.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
INPUT CHARACTERISTICS
Offset Voltage
VOS
SOIC package
100
μV
40°C ≤ TA ≤ +125°C
200
μV
MSOP package
130
μV
40°C ≤ TA ≤ +125°C
250
μV
LFCSP package
200
μV
40°C ≤ TA ≤ +125°C
300
μV
Offset Voltage Drift
ΔVOS/ΔT
0.5
1.75
μV/°C
Offset Voltage Matching
Channel A vs. Channel B, TA = 25°C
150
μV
Input Bias Current
IB
140
300
nA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
450
nA
Input Offset Current
IOS
25
nA
40°C ≤ TA ≤ +125°C
50
nA
Input Voltage Range
15
+15
V
Common-Mode Rejection Ratio
CMRR
VCM = ±14 V
106
124
dB
VCM = ±15 V, 40°C ≤ TA ≤ +125°C
85
dB
Large Signal Voltage Gain
AVO
RL = 2 k, 13.5 V ≤ VO ≤ +13.5 V
110
117
dB
40°C ≤ TA ≤ +125°C
105
dB
Input Impedance, Differential
100||1.1
k||pF
Input Impedance, Common-Mode
200||2.5
M||pF
OUTPUT CHARACTERISTICS
Output Voltage High
VOH
RL = 10 k to VCM
14.8
14.9
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
14.8
V
RL = 2 k to VCM
14.5
14.6
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
14.0
V
Output Voltage Low
VOL
RL = 10 k to VCM
14.95
14.9
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
14.8
V
RL = 2 k to VCM
14.9
14.8
V
40°C ≤ TA ≤ +125°C
14.7
V
Short Circuit Current
ISC
±30
mA
POWER SUPPLY
Power Supply Rejection Ratio
PSRR
VSY = ±2 V to ±18 V
110
120
dB
40°C ≤ TA ≤ +125°C
105
dB
Supply Current/Amplifier
ISY
IO = 0 mA
625
750
A
40°C ≤ TA ≤ +125°C
1050
A
DYNAMIC PERFORMANCE
Slew Rate
SR
RL = 2 k
2.4
4.6
V/s
Gain Bandwidth Product
GBP
VIN = 5 mV p-p, RL = 10 k, AV = 100
15.9
MHz
Unity-Gain Crossover
UGC
VIN = 5 mV p-p, RL = 10 k, AV = 1
9.9
MHz
Phase Margin
ΦM
86
Degrees
3 dB Closed-Loop Bandwidth
3 dB
AV = 1, VIN = 5 mV p-p
13.9
MHz
NOISE PERFORMANCE
Voltage Noise
en p-p
0.1 Hz to 10 Hz
0.1
V p-p
Voltage Noise Density
en
f = 1 kHz
3.9
nV/√Hz
Current Noise Density
in
0.55
pA/√Hz
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