参数资料
| 型号： | ADF4113BRU |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 25/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYNTH PLL RF 4.0GHZ 16-TSSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 类型： | 时钟/频率合成器，RF |
| PLL： | 是 |
| 输入： | CMOS，TTL |
| 输出： | 时钟 |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 2:1 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/无 |
| 频率 - 最大： | 4GHz |
| 除法器/乘法器： | 是/无 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | EVAL-ADF4113HVEB1Z-ND - BOARD EVALUATION FOR ADF4113HV EVAL-ADF4113EBZ2-ND - BOARD EVAL FOR ADF4113 1750MHZ EVAL-ADF4113EBZ1-ND - BOARD EVAL FOR ADF4113 EVAL-ADF411XEBZ1-ND - BOARD EVAL FOR ADF411X NO CHIP |
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ADF4110/ADF4111/ADF4112/ADF4113
Data Sheet
Rev. F | Page 6 of 28
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
TA = 25°C, unless otherwise noted
Table 3.
Parameter
Rating
0.3 V to +7 V
AVDD to DVDD
0.3 V to +0.3 V
VP to GND
0.3 V to +7 V
VP to AVDD
0.3 V to +5.5 V
Digital I/O Voltage to GND
0.3 V to VDD + 0.3 V
Analog I/O Voltage to GND
0.3 V to VP + 0.3 V
REFIN, RFINA, RFINB to GND
0.3 V to VDD + 0.3 V
RFINA to RFINB
±320 mV
Operating Temperature Range
Industrial (B Version)
40°C to +85°C
Storage Temperature Range
65°C to +150°C
Maximum Junction Temperature
150°C
TSSOP θJA Thermal Impedance
150.4°C/W
LFCSP θJA Thermal Impedance
(Paddle Soldered)
122°C/W
LFCSP θJA Thermal Impedance
(Paddle Not Soldered)
216°C/W
Lead Temperature, Soldering
Vapor Phase (60 sec)
215°C
Infrared (15 sec)
220°C
1
GND = AGND = DGND = 0 V.
Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings
may cause permanent damage to the device. This is a stress
rating only; functional operation of the device at these or any
other conditions above those listed in the operational sections
of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect
device reliability.
This device is a high performance RF integrated circuit with an
ESD rating of <2 kV, and it is ESD sensitive. Proper precautions
should be taken for handling and assembly.
TRANSISTOR COUNT
6425 (CMOS) and 303 (Bipolar).
ESD CAUTION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily accumulate on the
human body and test equipment and can discharge without detection. Although this product features
proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may occur on devices subjected to high energy
electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions are recommended to avoid performance
degradation or loss of functionality.
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PDF描述 |
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