参数资料
| 型号： | ADF4153BRU |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 23/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SYNTH PLL RF F-N FREQ 16TSSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 类型： | 分数 N 合成器（RF） |
| PLL： | 是 |
| 输入： | CMOS，TTL |
| 输出： | 时钟 |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 2:1 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/无 |
| 频率 - 最大： | 4GHz |
| 除法器/乘法器： | 无/是 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
| 配用： | EVAL-ADF4153EBZ1-ND - BOARD EVAL FOR ADF4153 |
ADF4153
Data Sheet
Rev. F | Page 8 of 24
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
Loop bandwidth = 20 kHz, reference = 250 MHz, VCO = Sirenza 1750T VCO, evaluation board = EV-ADF4153SD1Z, measurements taken on
the Agilent E5500 phase noise system.
PH
A
SE
N
O
ISE
(d
B
c
/H
z)
–30
–60
–80
–140
–130
–120
–110
–150
–160
–170
–90
–100
–70
–50
–40
20kHz LOOP BW, LOWEST NOISE MODE
RF = 1.7202MHz, PFD = 25MHz, N = 68,
FRAC = 101, MOD = 125, ICP = 625A, DSB
INTEGRATED PHASE ERROR = 0.23° RMS
SIRENZA 1750T VCO
1k
10k
1M
10M
100M
100k
03685-
004
FREQUENCY (Hz)
Figure 5. Single-Sideband Phase Noise Plot (Lowest Noise Mode)
PH
A
SE
N
O
ISE
(d
B
c
/H
z)
–30
–60
–80
–140
–130
–120
–110
–150
–160
–170
–90
–100
–70
–50
–40
1k
10k
1M
10M
100M
100k
03685-
005
FREQUENCY (Hz)
20kHz LOOP BW, LOW NOISE AND SPUR MODE
RF = 1.7202MHz, PFD = 25MHz, N = 68,
FRAC = 101, MOD = 125, ICP = 625A, DSB
INTEGRATED PHASE ERROR = 0.33° RMS
SIRENZA 1750T VCO
Figure 6. Single-Sideband Phase Noise Plot (Low Noise and Spur Mode)
PH
A
SE
N
O
ISE
(d
B
c
/H
z)
–30
–60
–80
–140
–130
–120
–110
–150
–160
–170
–90
–100
–70
–50
–40
1k
10k
1M
10M
100M
100k
03685-
006
FREQUENCY (Hz)
20kHz LOOP BW, LOW SPUR MODE
RF = 1.7202MHz, PFD = 25MHz, N = 68,
FRAC = 101, MOD = 125, ICP = 625A, DSB
INTEGRATED PHASE ERROR = 0.36° RMS
SIRENZA 1750T VCO
Figure 7. Single-Sideband Phase Noise Plot (Low Spur Mode)
FREQUENCY (GHz)
AM
P
L
IT
UDE
(
d
Bm)
5
0
–5
–10
–20
–15
–25
–30
–35
0
0.5
1.0
1.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
4.5
P = 4/5
P = 8/9
03685-
0
1
Figure 8. RF Input Sensitivity
VCP (V)
6
0
–6
I C
P
(mA)
4
2
–2
–4
–5
–3
–1
1
3
5
0
1
2
3
4
5
03685-
012
Figure 9. Charge Pump Output Characteristics
TEMPERATURE (°C)
–90
–94
–104
–60
100
–40
PH
A
SE
N
O
ISE
(d
B
c
/H
z)
–20
0
20
40
60
–96
–98
–92
–102
–100
80
03685-
014
Figure 10. Phase Noise vs. Temperature
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