参数资料
型号: ADG1406BRUZ-REEL7
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 15/20页
文件大小: 0K
描述: IC MULTIPLEXER 8X1 28TSSOP
产品培训模块: Switch Fundamentals
标准包装: 1,000
系列: iCMOS®
功能: 多路复用器
电路: 1 x 16:1
导通状态电阻: 21.5 欧姆
电压电源: 单/双电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 5 V ~ 16.5 V,±4.5 V ~ 16.5 V
电流 - 电源: 150µA
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 28-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 28-TSSOP
包装: 带卷 (TR)
ADG1406/ADG1407
Rev. A | Page 4 of
20
Parameter
+25°C
40°C to
+85°C
40°C to
+125°C1
Unit
Test Conditions/Comments
CD, CS (On)
ADG1406
115
pF typ
f = 1 MHz
ADG1407
70
pF typ
f = 1 MHz
POWER REQUIREMENTS
VDD = +16.5 V, VSS = 16.5 V
IDD
0.002
μA typ
Digital inputs = 0 V or VDD
1
μA max
IDD
280
μA typ
Digital inputs = 5 V
475
μA max
ISS
0.002
μA typ
Digital inputs = 0 V, 5 V or VDD
1
μA max
VDD/VSS
±4.5/±16.5
V min/max
1 Temperature range for B version is
40°C to +125°C.
2 Guaranteed by design, not subject to production test.
12 V SINGLE SUPPLY
VDD = 12 V ± 10%, VSS = 0 V, GND = 0 V, unless otherwise noted.
Table 3.
Parameter
+25°C
40°C to
+85°C
40°C to
+125°C1
Unit
Test Conditions/Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
0 to VDD
V
On Resistance (RON)
18
Ω typ
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V; VS = 0 V to 10 V,
21.5
26
28.5
Ω max
IS = 10 mA; see Figure 27
On-Resistance Match Between
0.55
Ω typ
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V; VS = 0 V to 10 V,
Channels (ΔRON)
1.2
1.6
1.8
Ω max
IS = 10 mA
On-Resistance Flatness (RFLAT(ON))
5
Ω typ
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V; VS = 0 V to 10 V,
6
6.9
7.3
Ω max
IS = 10 mA
LEAKAGE CURRENTS
VDD = 10.8 V
Source Off Leakage, IS (Off )
±0.01
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V; see
±0.25
±1
±4
nA max
Drain Off Leakage, ID (Off )
±0.01
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V; see
±0.5
±3
±20
nA max
Channel On Leakage, ID, IS (On)
±0.01
nA typ
VS = VD = 1 V or 10 V; see Figure 29
±0.5
±3
±20
nA max
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
2.0
V min
Input Low Voltage, VINL
0.8
V max
Input Current
±0.002
μA typ
VIN = VGND or VDD
±0.1
μA max
Digital Input Capacitance, CIN
4
pF typ
DYNAMIC CHARACTERISTICS2
Transition Time, tTRANSITION
170
ns typ
RL = 100 Ω, CL = 35 pF
250
310
350
ns max
VS = 8 V; see Figure 29
Break-Before-Make Time Delay, tBBM
75
ns typ
RL = 100 Ω, CL = 35 pF
30
ns min
VS1 = VS2 = 8 V; see Figure 31
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