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参数资料
| 型号： | ADG411BRZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC |
| 产品培训模块： | iCMOS™ Switches and Multiplexers for Data Acquisition Switch Fundamentals |
| 标准包装： | 48 |
| 系列： | LC²MOS |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 4 x SPST - NC |
| 导通状态电阻： | 80 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 12V，±15V |
| 电流 - 电源： | 100pA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 800 (CN2011-ZH PDF) |
ADG411/ADG412/ADG413
Rev. D | Page 11 of 16
TEST CIRCUITS
SD
VS
RON = V1/IDS
IDS
V1
00024-014
Figure 14. On Resistance
SD
VS
VD
IS (OFF)
ID (OFF)
A
00024-015
Figure 15. Off Leakage
SD
VS
VD
ID (ON)
A
00024-016
Figure 16. On Leakage
S
+15V
+5V
0.1
μF
0.1
μF
VDD
VL
IN
VS
GND
VSS
RL
300
Ω
CL
35pF
VOUT
0.1
μF
–15V
tON
tOFF
3V
50%
3V
90%
VIN
VOUT
ADG411
ADG412
00024-017
D
Figure 17. Switching Times
S1
D1
+15V
+5V
0.1
μF
0.1
μF
VDD
VL
IN1, IN2
VS1
GND
VSS
RL1
300
Ω
CL1
35pF
VOUT1
0.1
μF
–15V
VS2
VOUT2
RL2
300
Ω
CL2
35pF
S2
VIN
D2
tD
3V
50%
90%
VIN
VOUT1
VOUT2
90%
0V
00024-018
Figure 18. Break-Before-Make Time Delay
+15V
+5V
VDD
VL
IN
VS
GND
VSS
CL
10nF
VOUT
–15V
RS
3V
VIN
VOUT
ΔV
OUT
QINJ = CL × ΔVOUT
00024-019
SD
Figure 19. Charge Injection
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