参数资料
型号: ADG436BR
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 6/12页
文件大小: 0K
描述: IC SWITCH DUAL SPDT 16SOIC
产品培训模块: Switch Fundamentals
标准包装: 48
系列: LC²MOS
功能: 开关
电路: 2 x SPDT - NC/NO
导通状态电阻: 20 欧姆
电压电源: 单/双电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 3 V ~ 30 V,±1.5 V ~ 10 V
电流 - 电源: 50µA
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 管件
ADG436
Rev. B | Page 3 of 12
SPECIFICATIONS
DUAL SUPPLY1
VDD = +15 V, VSS = 15 V, GND = 0 V, unless otherwise noted.
Table 1.
Parameter
+25°C
40°C to +85°C
Unit
Test Conditions/ Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
VSS to VDD
V
RON
12
typ
VD = ±10 V, IS = 1 mA
25
max
RON
1
typ
VD = 5 V, 5 V, IS = 10 mA
3
max
RONMatch
1
typ
VD = ±10 V, IS = 10 mA
2.5
max
LEAKAGE CURRENTS
VDD = 16.5 V, VSS = 16.5 V
Source OFF Leakage IS (OFF)
±0.005
nA typ
VD = ±15.5 V, VS = ±15.5 V
±0.25
±5
nA max
Channel ON Leakage ID, IS (ON)
±0.05
nA typ
VS = VD = ±15.5 V
±0.4
±5
nA max
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
2.4
V min
Input Low Voltage, VINL
0.8
V max
Input Current, IINL or IINH
±0.005
A typ
VIN = 0 V or VDD
±0.5
A max
DYNAMIC CHARACTERISTICS2
tON
70
ns typ
RL = 300 , CL = 35 pF;
125
ns max
VS =±10 V; Figure 15
tOFF
60
ns typ
RL = 300 , CL = 35 pF;
120
ns max
VS = ±10 V; Figure 15
Break-Before-Make Delay, tOPEN
10
ns min
RL = 300 , CL = 35 pF;
VS = +5 V; Figure 16
Charge Injection
10
pC typ
VD = 0 V, RD = 0 , CL = 10 nF;
OFF Isolation
72
dB typ
RL = 75 , CL = 5 pF, f = 1 MHz;
VS = 2.3 V rms, Figure 18
Channel-to-Channel Crosstalk
90
dB typ
RL = 75 , CL = 5 pF, f = 1 MHz;
VS = 2.3 V rms, Figure 19
CS (OFF)
13
pF typ
CD, CS (ON)
49
pF typ
POWER REQUIREMENTS
IDD
0.05
mA typ
Digital inputs = 0 V or 5 V
0.35
mA max
ISS
0.01
A typ
1
5
A max
VDD/VSS
±3/±20
V min/V max
|VDD| = |VSS|
1 Temperature range is as follows: B version, 40°C to +85°C.
2 Guaranteed by design; not subject to production test.
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