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参数资料
| 型号： | ADG508AKRZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 12/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MULTIPLEXER 8X1 16SOIC |
| 产品培训模块： | iCMOS™ Switches and Multiplexers for Data Acquisition Switch Fundamentals |
| 标准包装： | 48 |
| 功能： | 多路复用器 |
| 电路： | 1 x 8:1 |
| 导通状态电阻： | 700 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 10.8 V ~ 16.5 V，±10.8 V ~ 16.5 V |
| 电流 - 电源： | 600µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 802 (CN2011-ZH PDF) |
ADG508A/ADG509A
Rev. D | Page 5 of 16
SINGLE SUPPLY
VDD = 10.8 V to 16.5 V, VSS = GND = 0 V, unless otherwise noted.
Table 2.
ADG508A/
ADG509A
K Version
ADG508A/
ADG509A
B Version
ADG508A/
ADG509A
T Version
Parameter
+25°C
40°C to
+85°C
+25°C
40°C to
+85°C
+25°C
55°C to
+125°C
Unit
Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
GND
V min
VDD
V max
RON
500
Ω typ
GND ≤ VS ≤ 10 V, IDS = 0.5 mA;
see Figure 14
700
1000
700
1000
700
1000
Ω max
RON Drift
0.6
%/°C typ
VS = 0, IDS = 0.5 mA
RON Match
5
% typ
GND ≤ VS ≤ 10 V, IDS = 0.5 mA
IS (Off ), Off Input Leakage
0.02
nA typ
V1 = 10 V/GND, V2 = GND/10 V;
see Figure 15
1
50
1
50
1
50
nA max
ID (Off), Off Output Leakage
0.04
nA typ
V1 = 10 V/GND, V2 = GND/10 V;
see Figure 16
ADG508A
1
100
1
100
1
100
nA max
ADG509A
1
50
1
50
1
50
nA max
ID (On), On Channel Leakage
0.04
nA typ
V1 = V2 = 10 V/GND;
see Figure 17
ADG508A
1
100
1
100
1
100
nA max
ADG509A
1
50
1
50
1
50
nA max
IDIFF, Differential Off Output
Leakage (ADG509A Only)
25
nA max
V1 = 10 V/GND, V2 = GND/10 V;
see Figure 18
DIGITAL CONTROL
VINH, Input High Voltage
2.4
V min
VINL, Input Low Voltage
0.8
V max
IINL or IINH
1
μA max
VIN = 0 to VDD
CIN Digital Input Capacitance
8
pF max
DYNAMIC CHARACTERISTICS
tTRANSITION1
300
ns typ
V1 = 10 V/GND, V2 = GND/10 V;
see Figure 19
450
600
450
600
450
600
ns max
tOPEN1
50
ns typ
See Figure 20
25
10
25
10
25
10
ns min
250
ns typ
See Figure 21
450
600
450
600
450
600
ns max
250
ns typ
See Figure 21
450
600
450
600
450
600
ns max
Off Isolation
68
dB typ
VEN = 0.8 V, RL = 1kΩ, CL = 15 pF,
VS = 3.5 V rms, f = 100 kHz
50
dB min
CS (Off )
5
pF typ
VEN = 0.8 V
CD (Off )
ADG508A
22
pF typ
VEN = 0.8 V
ADG509A
11
pF typ
QINJ, Charge Injection
4
pC typ
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