参数资料
型号: ADG5208BRUZ
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 22/24页
文件大小: 0K
描述: IC MULTIPLEXER 4CH 16-TSSOP
标准包装: 96
功能: 多路复用器
电路: 1 x 8:1
导通状态电阻: 170 欧姆
电压电源: 单/双电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 9 V ~ 40 V,±9 V ~ 22 V
电流 - 电源: 100µA
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 16-TSSOP
包装: 管件
Data Sheet
ADG5208/ADG5209
Rev. A | Page 7 of 24
Parameter
25°C
40°C to +85°C
40°C to +125°C
Unit
Test Conditions/Comments
Drain Off Leakage, ID (Off)
±0.005
nA typ
VS = 1 V/30 V, VD = 30 V/1 V; see
±0.1
±0.4
±1.4
nA max
Channel On Leakage, ID (On), IS (On)
±0.01
nA typ
VS = VD = 1 V/30 V; see Figure 27
±0.2
±0.5
±1.4
nA max
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
2.0
V min
Input Low Voltage, VINL
0.8
V max
Input Current, IINL or IINH
0.002
A typ
VIN = VGND or VDD
±0.1
A max
Digital Input Capacitance, CIN
3
pF typ
DYNAMIC CHARACTERISTICS1
Transition Time, tTRANSITION
185
ns typ
RL = 300 , CL = 35 pF
230
245
259
ns max
VS = 18 V; see Figure 33
tON (EN)
170
ns typ
RL = 300 , CL = 35 pF
210
230
255
ns max
VS = 18 V; see Figure 35
tOFF (EN)
125
ns typ
RL = 300 , CL = 35 pF
180
ns max
VS = 18 V; see Figure 35
Break-Before-Make Time Delay, tD
70
ns typ
RL = 300 , CL = 35 pF
35
ns min
VS1 = VS2 = 18 V; see Figure 34
Charge Injection, QINJ
0.4
pC typ
VS = 18 V, RS = 0 , CL = 1 nF;
Off Isolation
90
dB typ
RL = 50 , CL = 5 pF, f = 1 MHz;
Channel-to-Channel Crosstalk
90
dB typ
RL = 50 , CL = 5 pF, f = 1 MHz;
3 dB Bandwidth
RL = 50 , CL = 5 pF; see Figure 32
65
MHz typ
130
MHz typ
Insertion Loss
6
dB typ
RL = 50 , CL = 5 pF, f = 1 MHz;
CS (Off)
5.5
pF typ
VS = 18 V, f = 1 MHz
CD (Off)
51
pF typ
VS = 18 V, f = 1 MHz
25
pF typ
VS = 18 V, f = 1 MHz
CD (On), CS (On)
57
pF typ
VS = 18 V, f = 1 MHz
32
pF typ
VS = 18 V, f = 1 MHz
POWER REQUIREMENTS
VDD = 39.6 V
IDD
80
A typ
Digital inputs = 0 V or VDD
100
130
A max
VDD
9/40
V min/V max
GND = 0 V, VSS = 0 V
1
Guaranteed by design; not subject to production test.
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