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参数资料
型号： ADG5436BRUZ-REEL7
厂商： Analog Devices Inc
文件页数： 16/20页
文件大小： 0K
描述： IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
标准包装： 1,000
功能： 开关
电路： 2 x SPDT - NC/NO
导通状态电阻： 12 欧姆
电压电源： 单/双电源
电压 - 电源，单路/双路(±)： 9 V ~ 40 V，±9 V ~ ±22 V
电流 - 电源： 80µA
工作温度： -40°C ~ 125°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装： 16-TSSOP
包装： 带卷 (TR)
ADG5436
Rev. A | Page 5 of 20
Parameter
25°C
40°C to +85°C
40°C to +125°C
Unit
Test Conditions/Comments
Insertion Loss
0.6
dB typ
RL = 50 Ω, CL = 5 pF, f = 1 MHz;
see Figure 30
CS (Off )
18
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
CD (Off )
63
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
CD (On), CS (On)
82
pF typ
VS = 0 V, f = 1 MHz
POWER REQUIREMENTS
VDD = +22 V, VSS = 22 V
IDD
50
μA typ
Digital inputs = 0 V or VDD
70
110
μA max
ISS
0.001
μA typ
Digital inputs = 0 V or VDD
1
μA max
VDD/VSS
±9/±22
V min/V max
GND = 0 V
1 Guaranteed by design; not subject to production test.
12 V SINGLE SUPPLY
VDD = 12 V ± 10%, VSS = 0 V, GND = 0 V, unless otherwise noted.
Table 3.
Parameter
25°C
40°C to +85°C
40°C to +125°C
Unit
Test Conditions/Comments
ANALOG SWITCH
Analog Signal Range
0 V to VDD
V
On Resistance, RON
19
Ω typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 10 mA; see
Figure 25
22
27
31
Ω max
VDD = 10.8 V, VSS = 0 V
On-Resistance Match
Between Channels, RON
0.4
Ω typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 10 mA
0.8
1
1.2
Ω max
On-Resistance Flatness, RFLAT (ON)
4.4
Ω typ
VS = 0 V to 10 V, IS = 10 mA
5.5
6.5
7.5
Ω max
LEAKAGE CURRENTS
VDD = 13.2 V, VSS = 0 V
Source Off Leakage, IS (Off )
±0.05
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V;
see Figure 28
±0.25
±0.75
±3.5
nA max
Drain Off Leakage, ID (Off )
±0.1
nA typ
VS = 1 V/10 V, VD = 10 V/1 V;
see Figure 28
±0.4
±2
±12
nA max
Channel On Leakage, ID (On), IS (On)
±0.1
nA typ
VS = VD = 1 V/10 V; see Figure 24
±0.4
±2
±12
nA max
DIGITAL INPUTS
Input High Voltage, VINH
2.0
V min
Input Low Voltage, VINL
0.8
V max
Input Current, IINL or IINH
0.002
μA typ
VIN = VGND or VDD
±0.1
μA max
Digital Input Capacitance, CIN
5
pF typ
DYNAMIC CHARACTERISTICS1
Transition Time, tTRANSITION
250
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
346
437
501
ns max
VS = 8 V; see Figure 31
tON
250
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
358
445
512
ns max
VS = 8 V; see Figure 33
tOFF
135
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
178
212
237
ns max
VS = 8 V; see Figure 33
Break-Before-Make Time Delay, tD
125
ns typ
RL = 300 Ω, CL = 35 pF
50
ns min
VS1 = VS2 = 8 V; see Figure 32
Charge Injection, QINJ
80
pC typ
VS = 6 V, RS = 0 Ω, CL = 1 nF; see
Figure 34
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