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参数资料
| 型号： | ADG5436BRUZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 9/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPDT - NC/NO |
| 导通状态电阻： | 12 欧姆 |
| 电压电源： | 单/双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 9 V ~ 40 V，±9 V ~ ±22 V |
| 电流 - 电源： | 80µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
ADG5436
Rev. A | Page 17 of 20
TRENCH ISOLATION
In the ADG5436, an insulating oxide layer (trench) is placed
between the NMOS and the PMOS transistors of each CMOS
switch. Parasitic junctions, which occur between the transistors
in junction isolated switches, are eliminated, and the result is a
completely latch-up proof switch.
In junction isolation, the N and P wells of the PMOS and
NMOS transistors form a diode that is reverse-biased under
normal operation. However, during overvoltage conditions, this
diode can become forward-biased. A silicon controlled rectifier
(SCR) type circuit is formed by the two transistors causing a
significant amplification of the current that, in turn, leads to
latch-up. With trench isolation, this diode is removed, and the
result is a latch-up proof switch.
09204-
045
NMOS
PMOS
P-WELL
N-WELL
BURIED OXIDE LAYER
HANDLE WAFER
TRENCH
Figure 35. Trench Isolation
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ADG5436FBRUZ | 功能描述:2 Circuit IC Switch 2:1 11.5 Ohm 16-TSSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:11.5 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:150 毫欧 电压 -?电源，单（V+）:8 V ~ 44 V 电压 - 电源，双（V±）:±5 V ~ 22 V 开关时间（Ton, Tof）（最大值）:535ns，205ns -3db 带宽:171MHz 电荷注入:-737pC 沟道电容 （CS(off），CD（off））:11pF，23pF 电流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-73dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 封装/外壳:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商器件封装:16-TSSOP 标准包装:96 |
| ADG5436FBRUZ-RL7 | 功能描述:2 Circuit IC Switch 2:1 11.5 Ohm 16-TSSOP 制造商:analog devices inc. 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:11.5 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:150 毫欧 电压 -?电源，单（V+）:8 V ~ 44 V 电压 - 电源，双（V±）:±5 V ~ 22 V 开关时间（Ton, Tof）（最大值）:535ns，205ns -3db 带宽:171MHz 电荷注入:-737pC 沟道电容 （CS(off），CD（off））:11pF，23pF 电流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:500pA 串扰:-73dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA） 封装/外壳:16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商器件封装:16-TSSOP 标准包装:1,000 |
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