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参数资料
| 型号： | ADG821BRMZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SWITCH DUAL SPST 8MSOP |
| 产品培训模块： | iCMOS™ Switches and Multiplexers for Data Acquisition Switch Fundamentals |
| 标准包装： | 50 |
| 功能： | 开关 |
| 电路： | 2 x SPST - NO |
| 导通状态电阻： | 600 毫欧 |
| 电压电源： | 单电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 电流 - 电源： | 1nA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 803 (CN2011-ZH PDF) |
ADG821/ADG822/ADG823
Rev. A | Page 7 of 12
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
0.8
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
012345
O
N
R
E
S
IS
T
ANCE
(
)
VD, VS (V)
VDD = 3.3V
VDD = 3.0V
VDD = 2.7V
VDD = 4.5V
VDD = 5.0V
VDD = 5.5V
TA = 25°C
02
85
1-
0
05
Figure 5. On Resistance vs. VD, VS
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
01.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
O
N
R
E
S
IS
T
ANCE
(
)
VD, VS (V)
TA = 25°C
VDD = 1.8V
02
85
1-
0
06
Figure 6. On Resistance vs. VD, VS; VDD = 1.8 V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
05.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
O
N
R
E
S
IS
T
ANCE
(
)
VD, VS (V)
VDD = 5V
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
02
85
1-
0
07
Figure 7. On Resistance vs. VD, VS for Different Temperatures, VDD = 5 V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
03
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
O
N
R
E
S
IS
T
ANCE
(
)
VD, VS (V)
VDD = 3V
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
.0
02
85
1-
0
08
Figure 8. On Resistance vs. VD, VS for Different Temperatures, VDD = 3 V
8
7
6
5
4
3
2
0
1
–1
0
120 125
100
80
60
40
20
CUR
RE
NT
(
n
A)
TEMPERATURE (°C)
VDD = 5V, 3V
IS, ID (ON)
ID (OFF)
IS (OFF)
02
85
1-
00
9
Figure 9. Leakage Current vs. Temperature
200
150
100
50
0
–50
–100
–150
–200
05
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
CHAR
G
E
I
N
JE
CT
IO
N
(
p
C
)
VS (V)
VDD = 5V
VDD = 3V
TA = 25°C
.0
02
85
1-
0
10
Figure 10. Charge Injection vs. Source Voltage
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