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参数资料
| 型号： | ADM1232ARN |
| 厂商： | ANALOG DEVICES INC |
| 元件分类： | 电源管理 |
| 英文描述： | Microprocessor Supervisory Circuit |
| 中文描述： | 1-CHANNEL POWER SUPPLY MANAGEMENT CKT, PDSO8 |
| 封装： | MS-012AA, SOIC-8 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | ADM1232ARN |
ADM1232
–3–
REV. B
ORDE RING GUIDE
T emperature
Range
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
–40
°
C to +85
°
C
Package
Options*
Model
ADM1232ARM
ADM1232AN
ADM1232ARW
ADM1232ARN
RM-8
N-8
R-16
R-8
*N= Plastic DIP; R = Small Outline; RM = microSOIC.
ABSOLUT E MAX IMUM RAT INGS*
(T
A
= +25
°
C unless otherwise noted)
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5.5 V
Logic Inputs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to V
CC
+ 0.3 V
Storage T emperature Range . . . . . . . . . . . . –65
°
C to +150
°
C
Lead T emperature (Soldering, 10 sec) . . . . . . . . . . . . +300
°
C
Vapor Phase (60 sec) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
Infrared (15 sec) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
N-8
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000 mW
Derate by 13.5 mW/
°
C above 25
°
C
θ
JA
T hermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
°
C/W
R-16
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900 mW
Derate by 12 mW/
°
C above 25
°
C
θ
JA
T hermal Impedance (Still Air) . . . . . . . . . . . . . . 73
°
C/W
RM-8
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900 mW
Derate by 12 mW/
°
C above 25
°
C
θ
JA
T hermal Impedance (Still Air) . . . . . . . . . . . . . 206
°
C/W
R-8
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900
μ
W
Derate by 12 mW/
°
C above 25
°
C
θ
JA
T hermal Impedance (Still Air) . . . . . . . . . . . . . 153
°
C/W
*Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-
nent damage to the device. T his is a stress rating only; functional operation of the
device at these or any other conditions above those listed in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum ratings
for extended periods of time may affect device reliability.
C AUT ION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection.
Although the ADM1232 features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may
occur on devices subjected to high energy electrostatic discharges. T herefore, proper ESD
precautions are recommended to avoid performance degradation or loss of functionality.
WARNNG
ESD SENSITIVE DEVICE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ADM1232ARW | Microprocessor Supervisory Circuit |
| ADM1232AAN | Microprocessor Supervisory Circuit |
| ADM1232AARM | Microprocessor Supervisory Circuit |
| ADM1232AARN | Microprocessor Supervisory Circuit |
| ADM1232AARW | Microprocessor Supervisory Circuit |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ADM1232ARN-REEL | 功能描述:IC SUPERVISOR FOR CPU 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 监控器 系列:- 标准包装:400 系列:- 类型:备用电池电路 监视电压数目:1 输出:开路漏极，推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 35 ms 电压 - 阀值:4.65V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:带卷 (TR) 其它名称:ADM691ARZ-REEL7TR |
| ADM1232ARN-REEL7 | 功能描述:IC SUPERVISOR FOR CPU 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 监控器 系列:- 标准包装:400 系列:- 类型:备用电池电路 监视电压数目:1 输出:开路漏极，推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 35 ms 电压 - 阀值:4.65V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 供应商设备封装:16-SOIC W 包装:带卷 (TR) 其它名称:ADM691ARZ-REEL7TR |
| ADM1232ARNZ | 功能描述:IC SUPERVISOR FOR CPU 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 监控器 系列:- 标准包装:100 系列:- 类型:简单复位/加电复位 监视电压数目:1 输出:开路漏极，开路漏极 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压 - 阀值:4.37V，4.62V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1337 (CN2011-ZH PDF) |
| ADM1232ARNZ | 制造商:Analog Devices 功能描述:Microprocessor Supervisor |
| ADM1232ARNZ1 | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Microprocessor Supervisory Circuit |
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