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参数资料
| 型号： | ADP1870-BL2-EVZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 3/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD FOR ADP1870 |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，步降 |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 板类型： | 裸（未填充） |
| 已供物品： | 裸板 |
| 已用 IC / 零件： | ADP1870 |
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Data Sheet
ADP1870/ADP1871
SPECIFICATIONS
All limits at temperature extremes are guaranteed via correlation using standard statistical quality control (SQC). V REG = 5 V,
V BST ? V SW = V REG ? V RECT_DROP (see Figure 40 to Figure 42). V IN = 12 V. The specifications are valid for T J = ?40°C to +125°C,
unless otherwise specified.
Table 1.
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
POWER SUPPLY CHARACTERISTICS
High Input Voltage Range
V IN
C IN = 22 μF to PGND (at Pin 1)
ADP1870ARMZ-0.3/ADP1871ARMZ-0.3 (300 kHz)
ADP1870ARMZ-0.6/ADP1871ARMZ-0.6 (600 kHz)
ADP1870ARMZ-1.0/ADP1871ARMZ-1.0 (1.0 MHz)
2.95
2.95
3.25
12
12
12
20
20
20
V
V
V
Quiescent Current
I Q_REG + I Q_BST
V FB = 1.5 V, no switching
1.1
mA
Shutdown Current
I REG,SD +
COMP/EN < 285 mV
190
280
μA
I BST,SD
Undervoltage Lockout
UVLO Hysteresis
UVLO
Rising V IN (see Figure 35 for temperature variation)
Falling V IN from operational state
2.65
190
V
mV
INTERNAL REGULATOR
CHARACTERISTICS
VREG should not be loaded externally because it is
intended to only bias internal circuitry.
VREG Operational Output Voltage
V REG
C VREG = 1 μF to PGND, 0.22 μF to GND, V IN = 2.95 V to 20 V
ADP1870ARMZ-0.3/ADP1871ARMZ-0.3 (300 kHz)
ADP1870ARMZ-0.6/ADP1871ARMZ-0.6 (600 kHz)
ADP1870ARMZ-1.0/ADP1871ARMZ-1.0 (1.0 MHz)
2.75
2.75
3.05
5
5
5
5.5
5.5
5.5
V
V
V
VREG Output in Regulation
Load Regulation
V IN = 7 V, 100 mA
V IN = 12 V, 100 mA
0 mA to 100 mA, V IN = 7 V
4.8
4.8
4.981
4.982
32
5.16
5.16
V
V
mV
0 mA to 100 mA, V IN = 20 V
33
mV
Line Regulation
V IN = 7 V to 20 V, 20 mA
V IN = 7 V to 20 V, 100 mA
2.5
2.0
mV
mV
V IN to V REG Dropout Voltage
Short VREG to PGND
100 mA out of V REG , V IN ≤ 5 V
V IN = 20 V
300
229
415
320
mV
mA
SOFT START
Soft Start Period
3.0
ms
ERROR AMPLIFER
FB Regulation Voltage
V FB
T J = +25°C
600
mV
T J = ?40°C to +85°C
T J = ?40°C to +125°C
596
594.2
600
600
604
605.8
mV
mV
Transconductance
FB Input Leakage Current
G m
I FB, Leak
V FB = 0.6 V, COMP/EN = released
320
496
1
670
50
μS
nA
CURRENT-SENSE AMPLIFIER GAIN
Programming Resistor (RES)
RES = 47 kΩ ± 1%
2.7
3
3.3
V/V
Value from DRVL to PGND
RES = 22 kΩ ± 1%
RES = none
RES = 100 kΩ ± 1%
5.5
11
22
6
12
24
6.5
13
26
V/V
V/V
V/V
SWITCHING FREQUENCY
Typical values measured at 50% time points with 0 nF
at DRVH and DRVL; maximum values are guaranteed
by bench evaluation 1
ADP1870ARMZ-0.3/
ADP1871ARMZ-0.3 (300 kHz)
300
kHz
On-Time
Minimum On-Time
Minimum Off-Time
V IN = 5 V, V OUT = 2 V, T J = 25°C
V IN = 20 V
84% duty cycle (maximum)
1120
1200
146
340
1280
190
400
ns
ns
ns
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