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参数资料
| 型号： | ADP1870ARMZ-1.0-R7 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 6/44页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM CM 10-MSOP |
| 标准包装： | 1 |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 1MHz |
| 占空比： | 45% |
| 电源电压： | 2.95 V ~ 20 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ADP1870ARMZ-1.0-R7DKR |
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ADP1870/ADP1871
PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONS
Data Sheet
VIN 1
10
BST
COMP/EN 2
FB 3
GND 4
VREG 5
ADP1870/
ADP1871
TOP VIEW
(Not to Scale)
9
8
7
6
SW
DRVH
PGND
DRVL
NOTES
1. THE EXPOSED PAD MUST BE CONNECTED
TO GROUND.
Figure 3. Pin Configuration
Table 4. Pin Function Descriptions
Pin No.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Mnemonic
VIN
COMP/EN
FB
GND
VREG
DRVL
PGND
DRVH
SW
BST
Description
High Input Voltage. Connect VIN to the drain of the upper-side MOSFET.
Output of the Internal Error Amplifier/IC Enable. When this pin functions as EN, applying 0 V to this pin disables the IC.
Noninverting Input of the Internal Error Amplifier. This is the node where the feedback resistor is connected.
Analog Ground Reference Pin of the IC. All sensitive analog components should be connected to this ground
plane (see the Layout Considerations section).
Internal Regulator Supply Bias Voltage for the ADP1870/ADP1871 Controller (Includes the Output Gate Drivers).
A bypass capacitor of 1 μF directly from this pin to PGND and a 0.1 μF across VREG and GND are recommended.
VREG should not be loaded externally because it is intended to only bias internal circuitry.
Drive Output for the External Lower-Side, N-Channel MOSFET. This pin also serves as the current-sense gain
Power GND. Ground for the lower-side gate driver and lower-side, N-channel MOSFET.
Drive Output for the External Upper-Side, N-Channel MOSFET.
Switch Node Connection.
Bootstrap for the Upper-Side MOSFET Gate Drive Circuitry. An internal boot rectifier (diode) is connected
between VREG and BST. A capacitor from BST to SW is required. An external Schottky diode can also be
connected between VREG and BST for increased gate drive capability.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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