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参数资料
| 型号： | ADP1873-1.0-EVALZ |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 4/40页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL FOR ADP1873-1.0 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
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ADP1872/ADP1873
Data Sheet
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OUTPUT DRIVER CHARACTERISTICS
High-Side Driver
Output Source Resistance
Output Sink Resistance
I SOURCE = 1.5 A, 100 ns, positive pulse (0 V to 5 V)
I SINK = 1.5 A, 100 ns, negative pulse (5 V to 0 V)
2
0.8
3.5
2
Ω
Ω
Rise Time 2
Fall Time 2
t r, DRVH
t f, DRVH
25
11
ns
ns
Low-Side Driver
Output Source Resistance
Output Sink Resistance
I SOURCE = 1.5 A, 100 ns, positive pulse (0 V to 5 V)
I SINK = 1.5 A, 100 ns, negative pulse (5 V to 0 V)
1.7
0.75
3
2
Ω
Ω
Rise Time 2
Fall Time 2
t r, DRVL
t f, DRVL
18
16
ns
ns
Propagation Delays
DRVL Fall to DRVH Rise 2
DRVH Fall to DRVL Rise 2
SW Leakage Current
t tpdh, DRVH
t tpdh, DRVL
I SW, LEAK
BST = 25 V, SW = 20 V, VDD = 5.5 V
22
24
110
ns
ns
μA
Integrated Rectifier
Channel Impedance
I SINK = 10 mA
22
Ω
PRECISION ENABLE THRESHOLD
Logic High Level
Enable Hysteresis
VIN = 2.9 V to 20 V, VDD = 2.75 V to 5.5 V
VIN = 2.9 V to 20 V, VDD = 2.75 V to 5.5 V
235
285
35
330
mV
mV
COMP VOLTAGE
COMP Clamp Low Voltage
V COMP (LOW)
From disable state, release COMP/EN pin to enable
0.47
V
device (2.75 V ≤ VDD ≤ 5.5 V)
COMP Clamp High Voltage
COMP Zero Current Threshold
V COMP (HIGH)
V COMP_ZCT
(2.75 V ≤ VDD ≤ 5.5 V)
(2.75 V ≤ VDD ≤ 5.5 V)
1.15
2.55
V
V
THERMAL SHUTDOWN
T TMSD
Thermal Shutdown Threshold
Thermal Shutdown Hysteresis
Hiccup Current Limit Timing
Rising temperature
155
15
6
°C
°C
ms
1
2
The maximum specified values are with the closed loop measured at 10% to 90% time points (see Figure 59 and Figure 60), C GATE = 4.3 nF and upper- and lower-side
MOSFETs being Infineon BSC042N03MS G.
Not automatic test equipment (ATE) tested.
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