参数资料
型号: ADP1873ARMZ-1.0-R7
厂商: Analog Devices Inc
文件页数: 16/40页
文件大小: 0K
描述: IC REG CTRLR BUCK PWM CM 10-MSOP
标准包装: 1
PWM 型: 电流模式
输出数: 1
频率 - 最大: 1MHz
占空比: 45%
电源电压: 3 V ~ 20 V
降压:
升压:
回扫:
反相:
倍增器:
除法器:
Cuk:
隔离:
工作温度: -40°C ~ 125°C
封装/外壳: 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
包装: 标准包装
产品目录页面: 792 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: ADP1873ARMZ-1.0-R7DKR
ADP1872/ADP1873
Data Sheet
LOW SIDE
T A = 25°C
570
V DD = 5.5V
V DD = 3.6V
V DD = 2.7V
550
4
HIGH SIDE
SW NODE
530
510
490
470
2 3
M
HS MINUS
SW
450
430
CH2 5V
M40ns
A CH2
4.20V
–40
–20
0
20
40
60
80
100
120
CH3 5V
MATH 2V 40ns
CH4 2V
T 29.0%
TEMPERATURE (°C)
Figure 58. Output Drivers and SW Node Waveforms
Figure 61. Transconductance (G M ) vs. Temperature
LOW SIDE
16ns ( t f , DRVL )
T A = 25°C
680
+125°C
+25°C
630
–40°C
4
2 3
M
22ns ( t pdh , DRVH )
SW NODE
HS MINUS
SW
HIGH SIDE
25ns ( t r , DRVH )
580
530
480
430
380
CH3 5V
MATH 2V 40ns
CH2 5V
CH4 2V
M40ns
T 29.0%
A CH2
4.20V
330
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9 4.2
V DD (V)
4.5
4.8
5.1
5.4
Figure 59. Upper Side Driver Rising and Lower Side Falling Edge Waveforms
(C GATE = 4.3 nF (Upper/Lower Side MOSFET),
Q TOTAL = 27 nC (V GS = 4.4 V (Q1), V GS = 5 V (Q3))
1.30
Figure 62. Transconductance (G M ) vs. V DD
18ns ( t r , DRVL )
LOW SIDE
1.25
1.20
1.15
4
1.10
+125°C
HIGH SIDE
24ns ( t pdh , DRVL )
1.05
+25°C
1.00
HS MINUS
0.95
–40°C
2 3
SW
11ns ( t f , DRVH )
SW NODE
0.90
0.85
M
T A = 25°C
0.80
0.75
CH3 5V
MATH 2V 20ns
CH2 5V
CH4 2V
M20ns
T 39.2%
A CH2
4.20V
0.70
2.7
3.1
3.5
3.9 4.3
V DD (V)
4.7
5.1
5.5
Figure 60. Upper Side Driver Falling and Lower Side Rising Edge Waveforms
(C GATE = 4.3 nF (Upper/Lower Side MOSFET),
Q TOTAL = 27 nC (V GS = 4.4 V (Q1), V GS = 5 V (Q3))
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Figure 63. Quiescent Current vs. V DD (VIN = 13 V)
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