参数资料
| 型号： | AFS090-1QNG108I |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 314/334页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 2MB FLASH 90K 108-QFN |
| 标准包装： | 348 |
| 系列： | Fusion® |
| RAM 位总计： | 27648 |
| 输入/输出数： | 37 |
| 门数： | 90000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 封装/外壳： | 108-WFQFN |
| 供应商设备封装： | 108-QFN（8x8） |
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Device Architecture
2-64
Revision 4
RAM512X18 exhibits slightly different behavior from RAM4K9, as it has dedicated read and write ports.
WW and RW
These signals enable the RAM to be configured in one of the two allowable aspect ratios (Table 2-30).
WD and RD
These are the input and output data signals, and they are 18 bits wide. When a 512×9 aspect ratio is
used for write, WD[17:9] are unused and must be grounded. If this aspect ratio is used for read, then
RD[17:9] are undefined.
WADDR and RADDR
These are read and write addresses, and they are nine bits wide. When the 256×18 aspect ratio is used
for write or read, WADDR[8] or RADDR[8] are unused and must be grounded.
WCLK and RCLK
These signals are the write and read clocks, respectively. They are both active high.
WEN and REN
These signals are the write and read enables, respectively. They are both active low by default. These
signals can be configured as active high.
RESET
This active low signal resets the output to zero, disables reads and/or writes from the SRAM block, and
clears the data hold registers when asserted. It does not reset the contents of the memory.
PIPE
This signal is used to specify pipelined read on the output. A Low on PIPE indicates a nonpipelined read,
and the data appears on the output in the same clock cycle. A High indicates a pipelined read, and data
appears on the output in the next clock cycle.
Clocking
The dual-port SRAM blocks are only clocked on the rising edge. SmartGen allows falling-edge-triggered
clocks by adding inverters to the netlist, hence achieving dual-port SRAM blocks that are clocked on
either edge (rising or falling). For dual-port SRAM, each port can be clocked on either edge or by
separate clocks, by port.
Fusion devices support inversion (bubble pushing) throughout the FPGA architecture, including the clock
input to the SRAM modules. Inversions added to the SRAM clock pin on the design schematic or in the
HDL code will be automatically accounted for during design compile without incurring additional delay in
the clock path.
The two-port SRAM can be clocked on the rising edge or falling edge of WCLK and RCLK.
If negative-edge RAM and FIFO clocking is selected for memory macros, clock edge inversion
management (bubble pushing) is automatically used within the Fusion development tools, without
performance penalty.
Table 2-30 Aspect Ratio Settings for WW[1:0]
WW[1:0]
RW[1:0]
D×W
01
512×9
10
256×18
00, 11
Reserved
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| AFS090-1QNG180I | 功能描述:IC FPGA 2MB FLASH 90K 180-QFN RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:Fusion® 标准包装:90 系列:ProASIC3 LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:- RAM 位总计:36864 输入/输出数:157 门数:250000 电源电压:1.425 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-FPBGA（17x17） |
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