- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录92912 > AFT-18234-20F 2000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER PDF资料下载
参数资料
| 型号： | AFT-18234-20F |
| 元件分类： | 放大器 |
| 英文描述： | 2000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 18K |
| 代理商： | AFT-18234-20F |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AFT-18234-2RF | 2000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AFT-18234-30F | 2000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AFT-18234-3RF | 2000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AFT-18234-5RF | 2000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AFT18092 | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AFT-18864 | 制造商:AVAN 功能描述: |
| AFT18H356-24SR6 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:AF HIP NI1230-4L2L - Tape and Reel 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:TRANS RF NI1230-4L2L |
| AFT18H357-24NR6 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.5dB 63W OM-1230-4L2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS（双） 频率:1.81GHz 增益:17.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA 功率 - 输出:63W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:OM-1230-4L2L 供应商器件封装:OM-1230-4L2L 标准包装:150 |
| AFT18H357-24SR6 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.3dB 63W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS（双） 频率:1.81GHz 增益:17.3dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA 功率 - 输出:63W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230-4LS2L 供应商器件封装:NI-1230-4LS2L 标准包装:150 |
| AFT18HW355S | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:RF POWER TRANSISTOR LDMOS |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。