型号: | AFT-2064-4RF |
元件分类: | 放大器 |
英文描述: | 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 24K |
代理商: | AFT-2064-4RF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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AFT-2064-50F | 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
AFT-2064-5RF | 500 MHz - 2000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
AWT186N23U25-R | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
AWT186N23U25 | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
AWT186P20U39-300 | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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AFT20P060-4GNR3 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 450mA 2.17GHz 18.9dB 6.3W OM-780G-4L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:2.17GHz 增益:18.9dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:450mA 功率 - 输出:6.3W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:OM-780G-4L 供应商器件封装:OM-780G-4L 标准包装:250 |
AFT20P060-4N | 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor |
AFT20P060-4NR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 AF1 2GHz 60W OM780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |
AFT20P140-4WGNR3 | 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 17.8dB 24W OM-780G-4L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:LDMOS(双) 频率:1.88GHz ~ 1.91GHz 增益:17.8dB 电压 - 测试:28V 额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA 功率 - 输出:24W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:OM-780G-4L 供应商器件封装:OM-780G-4L 标准包装:250 |
AFT20P140-4WNR3 | 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray |