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型号

STH265N6F6-2AG

数量

1026

厂商

STMicroelectronics

描述

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2

系列

汽车级，AEC-Q101，STripFET™ F6

包装

剪切带（CT）

零件状态

有效

FET 类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能

标准

漏源极电压（Vdss）

60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

180A（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

2.1 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）

183nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）

11800pF @ 25V

功率 - 最大值

300W

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型

供应商器件封装

H2Pak-2

标准包装

1

其它名称

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