VN10LPSTOA_Diodes Incorporated

批发数量
梯度价格
型号
VN10LPSTOA
数量
19500
厂商
Diodes Incorporated
描述
MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
270mA(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
60pF @ 25V
功率 - 最大值
625mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
E-Line-3,成型引线
供应商器件封装
E-Line(TO-92 兼容)
标准包装
1
其它名称
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