参数资料
型号: AGLN060V2-VQG100I
厂商: Microsemi SoC
文件页数: 124/150页
文件大小: 0K
描述: IC FPGA NANO 1KB 60K 100VQFP
标准包装: 90
系列: IGLOO nano
逻辑元件/单元数: 1536
RAM 位总计: 18432
输入/输出数: 71
门数: 60000
电源电压: 1.14 V ~ 1.575 V
安装类型: 表面贴装
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 100-TQFP
供应商设备封装: 100-VQFP(14x14)
IGLOO nano Low Power Flash FPGAs
Revision 17
2-59
Timing Characteristics
1.5 V DC Core Voltage
1.2 V DC Core Voltage
Table 2-84 Combinatorial Cell Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Combinatorial Cell
Equation
Parameter
Std.
Units
INV
Y = !A
tPD
0.76
ns
AND2
Y = A B
tPD
0.87
ns
NAND2
Y = !(A B)
tPD
0.91
ns
OR2
Y = A + B
tPD
0.90
ns
NOR2
Y = !(A + B)
tPD
0.94
ns
XOR2
Y = A
Bt
PD
1.39
ns
MAJ3
Y = MAJ(A, B, C)
tPD
1.44
ns
XOR3
Y = A
B Ct
PD
1.60
ns
MUX2
Y = A !S + B S
tPD
1.17
ns
AND3
Y = A B C
tPD
1.18
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
Table 2-85 Combinatorial Cell Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V
Combinatorial Cell
Equation
Parameter
Std.
Units
INV
Y = !A
tPD
1.33
ns
AND2
Y = A B
tPD
1.48
ns
NAND2
Y = !(A B)
tPD
1.58
ns
OR2
Y = A + B
tPD
1.53
ns
NOR2
Y = !(A + B)
tPD
1.63
ns
XOR2
Y = A
Bt
PD
2.34
ns
MAJ3
Y = MAJ(A, B, C)
tPD
2.59
ns
XOR3
Y = A
B Ct
PD
2.74
ns
MUX2
Y = A !S + B S
tPD
2.03
ns
AND3
Y = A B C
tPD
2.11
ns
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-7 on page 2-7 for derating values.
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